BYD, araba düzeyinde IGBT4.0'ı yayınladı: elektrikli araçlar için "Çin çekirdeği"
BYD, 10 Aralık'ta Zhejiang Eyaleti, Ningbo'da "IGBT Teknoloji Analizi Konferansı" düzenledi ve otomotiv düzenlemeleri alanında BYD'nin karşılaştırmalı IGBT4.0 teknolojisini resmi olarak yayınladı. Ayrıca BYD'nin daha mükemmel performans düzenine büyük yatırımlar yaptığını duyurdu. Üçüncü nesil yarı iletken malzeme SiC'nin (Silisyum Karbür) 2019'da SiC elektronik kontrol ile donatılmış elektrikli araçları piyasaya sürmesi bekleniyor. BYD'nin elektrikli araçlarının 2023 yılına kadar SiC elektronik kontrol ile tam donanımlı hale gelmesi ve uluslararası devler tarafından IGBT pazarını kırması bekleniyor. Tekel durumu.
Elektrikli araçlar hakkında daha fazla şey biliyorsanız, o zaman IGBT (Yalıtılmış Geçit Bipolar Transistörü) kesinlikle önlenemeyecek bir konudur ve IGBT, güç elektroniği cihazlarının "CPU" olarak da adlandırılır. Güç elektroniği cihazları esas olarak inverter inverterler ve diğer inverter devrelerinde DC gerilimini ayarlanabilir frekansla AC gücüne çevirmek için kullanılır. Enerji dönüşümü ve iletimi için temel cihaz olan IGBT, doğrudan ve alternatif akımın dönüşümünü doğrudan kontrol eder, tahrik sisteminin torkunu (doğrudan arabanın hızlanma kapasitesini etkiler), maksimum çıkış gücünü (doğrudan aracın maksimum hızını etkiler) vb. Belirler ve enerji kesintisi sorununu çözer. Ve karbon emisyonlarını azaltmak için anahtar teknolojiler.
Ana akım yeni güç elektroniği cihazlarından biri olan IGBT'ler, demiryolu taşımacılığı, akıllı şebekeler, havacılık, elektrikli araçlar, yeni enerji ekipmanı ve endüstriyel alanlarda (yüksek voltaj ve yüksek akım durumlarında AC / DC dönüştürme ve frekans dönüştürme kontrolü) yaygın olarak kullanılmaktadır. Yukarıdaki uygulamalardaki temel teknoloji. Şu anda BYD, Çin'de eksiksiz bir IGBT endüstriyel zincirine sahip tek otomobil şirketidir: IGBT çip tasarımı ve üretimi, modül tasarımı ve üretimi, yüksek güçlü cihaz testi uygulama platformu, güç kaynağı ve elektronik kontrol vb.
BYD IGBT4.0 teknolojisi, otomotiv sınıfı IGBT için bir ölçüt oluşturur
Yeni enerji araçlarının temel bileşenlerinde, IGBT'lerin genel olarak toplam araç maliyetinin yaklaşık% 5'ini oluşturduğu ve IGBT'lerin, teknik zorluklar ve büyük yatırımlar nedeniyle yeni enerji araçlarının büyük ölçekli ticarileştirilmesini uzun süredir kısıtladığı anlaşılmaktadır. 2003 gibi erken bir tarihte, elektrikli araçları konuşlandırmaya başlayan BYD, IGBT'nin elektrikli araçların gelişimini etkileyen anahtar bir teknoloji olacağını öngörüyor.Ar-Ge ekibi oluşumuna, üretim hattı inşasına ve diğer konulara yoğun yatırım yaptı ve IGBT endüstrisini sessizce konuşlandırdı. Yıllarca süren yoğun çalışmanın ardından BYD, araba sınıfı IGBT'nin referans noktası haline gelen yepyeni bir araba sınıfı ürün IGBT4.0'ı başarıyla geliştirdi.Çip kaybı, modül sıcaklık döngüsü kapasitesi ve mevcut çıktı kapasitesi gibi temel göstergeler açısından BYD IGBT4.0 ürünleri dünyaya ulaştı Lider seviye.
Teknik göstergeler:
Talaş kaybı: BYD IGBT4.0 ürünlerinin toplam kaybı, mevcut pazardaki ana akım ürünlere kıyasla yaklaşık% 20 oranında azaltılır ve bu da aracın güç tüketimini azaltır. Yeni nesil Tang'ı örnek olarak alırsak, diğer koşullar değişmeden, BYD IGBT4.0 kullanımı, piyasadaki mevcut ana akım IGBT'ye kıyasla 100 kilometrede güç tüketimini yaklaşık% 3 azaltacaktır.
Sıcaklık döngüsü yeteneği: IGBT4.0 ürün modüllerinin sıcaklık döngüsü ömrü, mevcut pazardaki ana akım ürünlerin 10 katından fazla olabilir.
Akım çıkış kapasitesi: IGBT4.0 ile donatılmış V-315 serisi modül, aynı çalışma koşullarında mevcut pazardaki ana akım ürünlere kıyasla mevcut çıkış kapasitesinde% 15 artışa sahip olup, daha güçlü hızlanma özelliğine sahip aracı destekler.
Uluslararası devlerin tekelini kırın ve Çin'in yeni enerji otomobil endüstrisinin gelişimini teşvik edin
Şu anda, pil endüstrisi hızla gelişiyor ve BYD gibi birçok yerli güç pil şirketi ortaya çıktı ve küresel güç pillerinin gelişimine öncülük etti. İlgili verilere göre, 2017 yılında yerli güç bataryası üretimi, temel olarak yeni enerji araçlarının destekleyici gereksinimlerini karşılayan 44,5 GWh'ye (veri kaynağı: Lityum Batarya Araştırmaları Gelişmiş Endüstri Araştırma Enstitüsü (GGII) "2017 Çin Elektrikli Batarya Endüstrisi Geliştirme Raporu") ulaştı. Bununla birlikte, Çin'in IGBT'sinin gelişimi ciddi şekilde geride kalıyor ve orta-üst düzey IGBT'lerin üretim kapasitesi ciddi şekilde yetersiz ve uluslararası devlere uzun vadeli bağımlılık "bir çekirdek bulmanın zor olmasına" yol açtı.
Dünyanın en büyük üç elektronik bileşen distribütöründen biri olan Future Electronics LTD'nin istatistiklerine göre: 2018'de, yeni enerji araçlarında kullanılan IGBT modüllerinin en uzun teslimat döngüsü 52 haftaya ulaştı (IGBT'nin teslimat döngüsü normaldir 8-12 hafta durumunda). 2018-2022'de, küresel yeni enerjili araç üretiminin yıllık bileşik büyüme oranı% 30'dur, ancak aynı dönemde araç sınıfı IGBT üretiminin yıllık bileşik büyüme oranı yalnızca% 15,7'dir (genel IGBT endüstrisi aynı dönemde% 8,2'dir). Önümüzdeki birkaç yıl içinde küresel otomotiv sınıfı IGBT pazarının arzının giderek daha sıkı hale geleceği öngörülebilir.
Eylül 2009'da BYD'nin IGBT çipi, Çin Elektrikli Ekipman Endüstrisi Birliği'nin Güç Elektroniği Şubesi tarafından düzenlenen bilimsel ve teknolojik başarılar değerlendirmesini başarıyla geçerek Çin'in IGBT çip teknolojisindeki sıfır atılımını ve uluslararası devlerin teknolojik tekelini kırdı. Kasım 2018 itibarıyla 114'ü yetkili patent olmak üzere toplam 175 IGBT ile ilgili patent başvurusu yapılmıştır.
Üçüncü nesil yarı iletken malzeme SiC'nin yerleşimi, yeni nesil elektrikli araç çip devrimine öncülük ediyor
Uzun zamandır, IGBT'nin temel teknolojisi her zaman yabancı üreticilerin elinde olmuştur.İlgili verilere göre Çin IGBT pazarı uluslararası devler tarafından tekelleştirilmiştir, pazarın% 90'ı Infineon, Mitsubishi ve diğer denizaşırı devlerin elindedir, ancak bazı segmentlerde Sahada (araba seviyesinde alan gibi), BYD tarafından temsil edilen Çinli şirketlerin gücü uluslararası ana akım seviyeyle rekabet edebilir. BYD, 2009 yılında Çin'in IGBT teknolojisindeki sıfır atılımını işaret eden, uluslararası devlerin teknolojik tekelini kıran ve Çin'in çip endüstrisinin ve yeni enerji otomobil endüstrisinin gelişimini teşvik etmede derin bir etkiye sahip olan IGBT'yi piyasaya sürdü.
IGBT alanındaki başarılar sayesinde, BYD'nin yeni enerji araçları olağanüstü performanslarını başarıyla tamamladı ve sürekli yinelemeli olarak yükseltme yeteneğine sahip oldu. BYD, araç güç kaynaklarında büyük ölçekte kullanılan üçüncü nesil yarı iletken malzeme SiC'nin (silikon karbür) konuşlandırılmasına büyük yatırım yaptı ve 2019'da SiC elektronik kontrol ile donatılmış elektrikli araçları piyasaya sürmesi bekleniyor. 2023'te silikon bazlı yarı iletkenlerin yerine SiC bazlı yarı iletkenlerin kullanılması bekleniyor. Yarı iletkenler (silikon tabanlı IGBT'ler gibi), yeni nesil elektrikli araç çip devrimine öncülük ediyor.
BYDnin yepyeni otomotiv sınıfı IGBT4.0 ürününü başarılı bir şekilde geliştirmesiyle, otomotiv sınıfı IGBTler için referans noktası haline geldi. Çinin otomotiv sınıfı IGBTlerin seri üretimini gerçekleştiren ilk kuruluşu, uluslararası devlerin tekelini de kırdı ve Çin'in yeni enerji otomobil endüstrisinin hızlı gelişimi.
Gelecekteki yerleşim düzeni ile ilgili olarak, BYD'nin şu anda üç ana vizyonu ve planı vardır: Birincisi, BYD güç yarı iletken yongalarının yeni enerji araçları için geniş kapsamlı bir öneme sahip olmasını sağlamak; ikincisi, dünyanın en büyük otomotiv sınıfı güç yarı iletkenleri tedarikçisi olmak ve son olarak, BYD olmayı umuyor Seviye) Güç yarı iletkenleri alanında küresel lider, "Çin Çipi" kalkışına katkıda bulundu.
