Kuru ürünler | Güneş pili popüler bilim serisi Polikristalin silikon külçe
Her zaman, her yerde, güç bilgisi ihtiyaçlarınızı karşılayacak bir APP ile güçlü başlıklara ulaşın
Ayrıntılar // dltoutiao.mybjx.net / dlmedia.html
Çin'in fotovoltaik endüstrisi on yıllardır inişler ve çıkışlar yaşadı. Hem teknoloji hem de maliyet dünyayı sarsan değişikliklere uğradı. Pazarın yüksek verimli güneş pillerine olan talebi ile polisilikon külçe döküm işlemi de değişikliklere uğradı. Hücre hammaddelerinin kaynağı olarak polisilikon külçelerin rolü apaçık ortadadır.
Külçe dökümü, çeşitli kaynaklardan elde edilen silikon malzemelerin yüksek sıcaklıkta eritilmesi ve daha sonra yönsel soğutma ile kristalize edilerek silikon külçe haline getirilmesiyle yapılır.Silikon malzemeler ısıtıldıktan ve tamamen eritildikten sonra, silikon malzemeler kristalleşince açığa çıkan ısı, yönlü katılaşma bloğu vasıtasıyla alt fırın boşluğuna yayılır. İç duvarda silikon malzemede dikey bir sıcaklık gradyanı oluşturulmuştur. Bu sıcaklık gradyanı, potadaki silikon sıvının alttan katılaşmasına ve eriyiğin dibinden yukarıya doğru büyümesine neden olur. Silikon malzeme katılaştıktan sonra silikon külçe tavlanır, soğutulur ve ardından fırından çıkarılır.
1. Polisilikon külçe dökümünün ana süreci
2. Püskürtme işlemi
1. Kuvars pota
Kuvars potanın yüzeyini temiz, kirlilik içermeyen ve çatlaksız kontrol edin.Aynı zamanda iç çizikler, çukurlar ve çıkıntılar belirli bir aralığı geçemez.Kuvars pota boyutlarını kontrol edin (iç ve dış boyutlar, üst kalınlık, alt kalınlık vb.) Anormallikler, külçe termal alan işleminde değişikliklere neden olacaktır.
2. Pota kaplama
Pota tabanı ve yanları önceden elle fırçalanmalıdır.Kaplama yoğunlaştırıldıktan sonra püskürtme tabancasıyla püskürtme. Kaplama miktarı belli bir miktardır (fırçalama sayısı sınırlı değildir). Fırçalanmış kaplama silikon nitrür tozu içerir (alt ve Kenarlar 120 gr, 380 gr), silika sol (60 gr, 150 gr), PVA (50 gr, 120 gr) ve saf sudur (180 gr, 340 gr) Sprey kaplamada PVA gerekli değildir.
3. Kaplamayı kontrol edin
Pota yan duvarının püskürtülmesi sürecinde, potanın tabanını, yan duvarın yaklaşık 3 / 4'ünü kaplamak için bir bölme kullanılmalıdır. Püskürtme ve fırçalama işleminde, sıvının homojen olarak yoğunlaştırılması gerekir.Kaplama, homojenlik, hava kabarcığı, dökülme ve kalifiye edilecek çatlak olmaması koşullarını sağlamalıdır.
4. Pota pişirme
Püskürtülen potayı fırına koyun ve pota pişirmeye başlayın.Tüm işlem yaklaşık 30-40 saat sürer.Sıcaklık hızla ayarlanan sıcaklığa yükseltilir ve birkaç saat sonra doğal olarak uygun bir sıcaklığa soğutulur ve ardından kapağı açılarak soğumaya bırakılır.
Pota püskürtme atölyesinin belirli bir sıcaklığı muhafaza etmesi ve düşük sıcaklık ortamının kaplama oranlandığında saf suyu ısıtması gerektiğini belirtmek gerekir. Hammaddelerin safsızlık konsantrasyonu, külçe fırınının şarj süresini etkileyecektir.Kristal büyütme aşamasında külçe fırını anormaldir.Bu sırada, külçe döküm süresi normal işlem süresinden 2-4 saat daha uzun olabilir ve alttaki silikon nitrür miktarı çok küçüktür. Düzgün bir şekilde kalıptan çıkarılamamasına ve silikon külçenin tabanında çatlaklara neden olacaktır. Aşırı silisyum nitrür, kuvars kumunu kaplayarak önemsiz tohumlama etkisine neden olur, bu nedenle külçede uygun ayarlamalar yapılmalıdır.
3. Polisilikon işlemi
1. Malzeme hazırlığı
Ham silikon malzemeyi ve geri dönüştürülmüş polisilikon malzemesini oranlama kalitesine ulaşıncaya kadar sınıflandırmak için PN test cihazı ve direnci kullanın ve son olarak gerekli katkı kalitesini hesaplayın. Silikon malzeme türleri, kabaca polikristalin ham silikon malzemeler, polikristal karbon başlı silikon malzemeler, polikristal silikon külçeler geri dönüştürülmüş silikon malzemeler, tek kristal çubuklar veya tek kristal başlıklar, atıklar, tek kristal kap alt malzemeler, tek kristal kırık silikon levhalar ve diğerleridir. Yarı iletken endüstrisinin artıkları vb.
2. Yükleme
Operatör yükleme sırasında PVC eldivenler ve koruyucu giysiler giyer ve silikon nitrür kaplamanın hasar görmesini önlemek için nazikçe tutar. Belirlenen alanda düzensiz şekilli pullar veya büyük silikon malzemeler parçalanır.Parçaları ezmek için özel bir parçalama kutusu kullanın.İnsan vücuduna zarar vermemek için bu işlem sırasında PVC eldiven ve gözlük takmanız gerektiğini unutmayın. "Nispeten pürüzsüz bir yüzeye sahip silikon malzeme" yi seçin. Büyük ve küçük parçalar olabildiğince tek tip olmalı ve artıklar boşlukları doldurmak için kullanılmalıdır. 8. Şarj işlemi sırasında potanın iç duvarına dokunulmamalı, hasar tespit edilirse silikon malzeme kaldırılmalı ve gereksinimleri karşılayana kadar tekrar püskürtülmelidir. Silikon malzemenin yarısı yüklendikten sonra, katkıyı çıkarın, elektronik terazi ile tartın ve silikon malzemenin yüzeyine eşit şekilde yerleştirin. Katkı maddesi tamamlanmışsa, belirtilen miktara ulaşılana kadar silikon malzeme eklemeye devam edin.
3. Isıtma
Vakum durumunda ısıtmaya başlayın ve silikon malzemelerden, termal alanlardan, potalardan vb. Kirleri belirli teknolojik prosedürlere göre nemini alın ve çıkarın.
4. Erime
Erime ve ısıtmanın uzantısı da ısıtma olarak anlaşılabilir, ancak proses prosedürlerinin tasarımında büyük bir fark vardır.Eritme, katı silikonu sıvı silikona dönüştürmektir ve sıcaklık 1560 dereceye ulaşabilir. Operatör, merkezi gözlem deliğinde erimenin tamamlanıp tamamlanmadığını gözlemler ve 3-5 dakika gözlemlemeye devam eder, eğer katı silikon malzeme yoksa program geriye doğru çalışmaya devam edebilir.
5 Uzun kristal
Erime kristal büyüme aşamasına girdiğinde, DS-BLOCK'u soğutmak için ısı yalıtım kafesi açılır ve potadaki silikon sıvısı sıcaklık gradyanını takip ederek aşağıdan yukarıya doğru yönsel olarak katılaşır. Operatör, şeffaf olup olmadığını gözlemlemek için merkezi gözlem deliğinde uygun adımı manuel olarak seçer.
6. Tavlama
Kristal büyüme aşamasında silikon külçe içindeki sıcaklık gradyanı nedeniyle, iç kısımda stres vardır. Direkt fırın dışından soğutulursa silikon külçe içinde gizli çatlaklar oluşacaktır.Kare ekstraksiyon ve tel kesme aşamalarında dış kuvvet silikon gofreti kıracaktır.Tavlamanın etkisi silikon külçenin iç sıcaklığını tutarlı hale getirmek ve silikon külçedeki gerilimi ortadan kaldırmaktır.
7, soğutma
Soğutma aşamasında izolasyon kafesi yavaş açılır, basınç kademeli olarak yükselir ve soğutma aşaması uzun sürer.Silikon külçenin performansını doğrudan etkileyen tavlama kadar işlevi de önemlidir.
Güneş pili polikristal silikon külçe bir tür sütunlu kristaldir ve kristal büyüme yönü dikey yukarı doğrudur.Yönlü katılaşma (aynı zamanda kontrol edilebilir katılaşma, kısıtlı katılaşma olarak da adlandırılır) işlemiyle gerçekleştirilir, yani kristalleşme işlemi sırasında, sıcaklık alanının değişimini kontrol ederek tek kristal oluşur. Yönlü ısı akışı (büyüme yönü, ısı akış yönünün tersidir) ve sıvı-katı arayüzündeki sıcaklık gradyanının 0'dan büyük olması gerekir ve sütunlu kristallerin yönlü büyümesini oluşturmak için yanal yönde sıcaklık gradyanı gerekmez.
4. Külçe döküm atölyesinde ortak konular
1. Erime ve kristal büyümesi aşamasında, erime, orta büyüme ve kenar büyümesi için üç alarm olacaktır. Külçe döküm döngüsünde, bu iki aşamanın yakından izlenmesi gerekir.
2. Fırındaki basınç 980 mbar'dan düşük olduğunda, fırının havalandırılması gerekir. Geri doldurma işlemi sırasında fırın içindeki basınç bu değerden daha büyük olduğunda otomatik olarak durmayacaktır ve otomatik olarak durması gerekmektedir.
3. Külçe döküm işlemi sırasında, kristal büyüme süresinin uygun şekilde uzatılması gibi fırındaki farklı durumlara göre manuel olarak ayarlayın. Fırındaki su, elektrik ve hava basıncına dikkat edin.
5. Silikon külçe muayenesi
Şekilde gösterildiği gibi, tipik özdirenç dağılımı, yüksek kuyruk ve düşük yük ile yukarıda belirtilen değişim eğilimini gösterir. Esas olarak eklenen ana alaşımın ayrılma katsayısından kaynaklanır.Silikon külçedeki özdirencin anormal olup olmadığını tespit etmek gerekir.
Normal şartlar altında, silikon külçelerin kızılötesi algılama sonuçları aşağıdaki şekilde kırmızı alan olarak görünmeyecektir Bu fenomenin nedeni kararsız termal alan veya daha fazla silikon safsızlıklarından kaynaklanıyor olabilir.
Kaynak: Polaris güneş fotovoltaik ağı (özel) Yazar: Chen Xuesong
