2017'de elektronik endüstrisindeki ilk on teknolojik atılımı `` Envanter ''
Bilim ve teknolojinin gelişimi hayal gücümüzü aştı ve teknolojinin yeniliği bizi şaşırtmaya devam ediyor. 2017'ye dönüp baktığımızda, nanometre LED çipleri arasındaki aktarım hızı sınırının atılımı, dünyanın ilk 72 katmanlı 3D NAND'inin ortaya çıkışı ve 1nm proses üretiminin ortaya çıkışı gibi bir dizi teknolojinin sürekli gelişimini görebiliriz ve gelecek dönem için yeni bir bölüm yazabiliriz. Bu arka plana karşı, OFweek Electronic Engineering Network'ün editörü okuyucular için en son on teknolojik gelişmeyi özetledi, böylece herkes elektronik endüstrisindeki en son gelişme trendlerini anlayabilir.
1. Grafen, OLED elektrotlarının oluşturulmasında büyük bir atılım yaptı
Ocak 2017'nin başlarında, araştırmacılar grafen aracılığıyla OLED elektrotları yaptılar ve bu da OLED endüstrisinde grafenin gelişiminin perdesini açtı. Grafenin yüksek görüntü kalitesi, esnek ve ultra ince, yüksek kontrast ve düşük enerji tüketimi özelliklerine sahip olduğu anlaşılmaktadır.Mükemmel sertlik, mükemmel iletkenlik, esnek dokunuş ve süper şeffaflık ile mükemmel dokunmatik panel malzemeleri oluşturabilir. Bu sefer araştırmacılar, OLED elektrotları oluşturmak için grafen kullandılar, büyük bir atılım.
Uzmanlara göre OLED'e takılan elektrotun boyutu yaklaşık 2cm x 1cm'dir.Metan ve hidrojenin bir vakum odasına pompalandığı ve bakır plakanın 800 ° C'ye ısıtıldığı kimyasal buhar biriktirme (CVD) işlemi kullanılarak üretilmektedir. Bu iki gaz kimyasal olarak reaksiyona girer ve metan bakırda çözündüğünde yüzeyde grafen atomları oluşturur. Katman tamamen oluşturulduktan sonra, tüm aygıt soğumaya bırakılır, koruyucu bir polimer levha uygulanır ve daha sonra bakır, saf grafenin monoatomik katmanını ortaya çıkarmak için kimyasal olarak aşındırılır.
Fraunhofer organik elektroniği, elektron ışını ve plazma teknolojisi FEP projesinin başkanı Dr. Beatrice Beyer, "Bu, son derece zorlu malzemelerin araştırılması ve entegrasyonunda gerçek bir atılımdır. Ancak bu, yapısında grafen kullanan ilk esnek ekran olmasa da. , Ancak OLED teknolojisini ilk kez tanıttı, tam renkli ekranlara ve hızlı yanıt süresine doğru büyük bir adım. "
China Graphene Industry Alliance, mevcut küresel grafen üretim kapasitesinin 100 ton seviyesine ulaştığını ve önümüzdeki 5-10 yıl içinde 1.000 ton seviyesine ulaşacağını açıkladı. 2020 yılına kadar küresel grafen pazarı 100 milyar yuan'ı aşacak.
2. Çin'in 5nm karbon nanotüp CMOS cihazları yeni atılımlar gerçekleştirdi
20 Ocak'ta, Peng Lianmao ve Zhang Zhiyong'un Pekin Üniversitesi Bilgi Bilimi ve Teknolojisi Okulu'ndan araştırma grubu, karbon nanotüp elektroniği alanında dünya çapında bir atılım gerçekleştirdi: ilk kez, 5 nanometre geçit uzunluğuna sahip yüksek performanslı bir karbon nanotransistör imal edildi ve performansının aştığı kanıtlandı. Aynı boyuttaki silikon bazlı CMOS (tamamlayıcı metal oksit yarı iletken) alan etkili transistörler, transistör performansını teorik sınıra kadar iter.
Araştırma grubunun, cihaz yapısını ve üretim sürecini optimize ederek, kapı uzunluğu 10 nm (5 nm teknoloji düğümüne karşılık gelir), p tipi ve n tipi cihazlara sahip bir karbon nanotüp üst geçit CMOS alan etkili transistörün eşik altı salınımını ilk kez gerçekleştirdiği anlaşılmaktadır. (Alt eşik salınımı, SS) 70mV / DEC'dir.
5nm geçit uzunluğu karbon tüp transistörü (A, metal temaslı karbon tüp transistörünün enine kesitinin TEM görüntüsü ve temas olarak grafen ile karbon tüp transistörünün SEM görüntüsü; B, temas halinde grafenli karbon tüp transistörünün şematik diyagramı; C, 5nm Kapı uzunluğunda bir karbon tüp transistörünün transfer eğrisi)
Karbon tüplü CMOS cihazlarının geleneksel yarı iletken cihazlarla karşılaştırılması (A, karbon tüp dizisine dayalı alan etkili transistörün şematik diyagramı, B-D, karbon tüp CMOS cihazlarının geleneksel malzeme transistörleri ile karşılaştırılması)
Cihaz performansı, yayınlanan tüm karbon nanotüp cihazlarını aşmakla kalmaz, aynı zamanda daha düşük bir çalışma voltajında (0.4V), p-tipi ve n-tipi transistörlerin performansı mevcut en iyiyi (Intelin 14nm düğümü) silikon tabanlı aşar CMOS cihazlarının 0.7V'deki performansı. Özellikle, karbon tüp CMOS transistörlerinin iç kapı gecikmesi, 14nm silikon bazlı CMOS cihazlarının (0.22ps) 1 / 3'üne eşdeğer olan 0.062ps'ye ulaştı.
Aynı zamanda araştırma grubu, temas boyutunun azaltılmasının cihaz performansı üzerindeki etkisini de inceledi, cihazın genel boyutunun küçültülmesini araştırdı ve karbon tüp cihazının temas elektrotunun uzunluğunu 25 nm'ye düşürdü.Cihazın performansının sağlanması öncülüğünde, toplam boyut 60 nm'ye ulaştı. Ve bugüne kadar gerçekleştirilen en küçük nano inverter devresi olan toplam uzunluğu 240 nm olan bir karbon tüp CMOS invertörü başarıyla sergiledi.
3. Nano düzey LED'ler, çipler arasındaki iletim hızı sınırını aşıyor
Şubat ayının ortalarında, Hollanda'daki Eindhoven Teknoloji Üniversitesi'nden araştırmacılar, Nature Communications dergisinde çip üzerinde dalga kılavuzu bağlı nano kolon metal boşluklu ışık yayan diyotlar üzerine en son araştırmayı yayınladılar. Araştırmacılar, bir silikon alt tabakaya bağlanan ve bir deklanşör kuplörü oluşturmak için indiyum fosfit (InP) ince film dalga kılavuzlarına bağlanabilen bir dizi nano ölçekli LED katmanını gösterdi.
Bu tür nano-LED'in mikron altı nano sütun şeklini kullandığı ve verimliliğinin önceki nesil modüllerden 1000 kat daha yüksek olduğu anlaşılmaktadır.Oda sıcaklığında çıkış gücü sadece birkaç nanowatt (nW) 'dır.Aksine, önceki araştırma sonuçları Yaklaşık picowatt (pW) çıkış gücü. Araştırma makalesine göre, bu bileşen oldukça yüksek bir dış kuantum verimliliği sergileyebilir. Düşük sıcaklıklarda, araştırmacılar, ideal bir alıcının atış gürültüsü hassasiyetinden çok daha yüksek olan, 1Gb / s hızında bit başına 400'den fazla fotonu iletmeye eşdeğer olan 50nW'lık bir güç seviyesi yayınladılar. Bileşen, telekom dalga boyunda (1.55m) çalışır ve 5GHz'e kadar frekansa sahip bir darbe dalga formu üreteci tarafından modüle edilebilir.
Silikon substrat üzerindeki nano sütunlu LED'in şematik diyagramı
Araştırmacılar, kısa mesafeli ara bağlantının düşük kaybı ve entegre alıcı teknolojisinin sürekli gelişimi nedeniyle, bu güç seviyesinin ultra kompakt bir ışık kaynağıyla çip içinde veri iletimini sağlamasının beklendiğini söyledi.
Araştırmacılar ayrıca, nano LED'lerin verimliliğini 100 kat daha fazla artırabilen ve ohm temasını iyileştirerek güç tüketimini daha da azaltabilen bir yüzey pasivasyon yöntemi geliştirdiler.
IV. Kuantum iletişiminin gelişimini desteklemek Çin, 100 milisaniyelik yüksek verimli bir kuantum bellek geliştirdi
Çin Bilim ve Teknoloji Üniversitesi'nden Profesörler Pan Jianwei ve Bao Xiaohui, dünyada ilk kez 100 milisaniye düzeyinde yüksek verimli bir kuantum bellek geliştirmek için soğuk atom topluluğunu kullandı ve uzun mesafeli kuantum röle sisteminin inşası için sağlam bir temel oluşturdu. Sonuçlar, uluslararası yetkili akademik dergi Nature Photonics'te yayınlandı.
Sözde kuantum iletişimi, bilgi iletmek için kuantum dolaşıklık etkisini kullanan yeni bir iletişim yöntemini ifade eder. 20 yıldan fazla süren geliştirmeden sonra, kuantum iletişimi konusu yavaş yavaş teoriden deneye ve pratik gelişime geçti.İlgili ana alanlar arasında kuantum kriptografik iletişim, kuantum ışınlama ve kuantum yoğun kodlama yer alıyor. Kuantum iletişimi, yüksek verimlilik ve mutlak güvenlik özelliklerine sahiptir ve şu anda uluslararası kuantum fiziği ve bilgi biliminde bir araştırma noktasıdır.
Son yıllarda, ağ güvenliği sorunları dünya çapında dikkat çekti ve çeşitli ağ güvenliği olayları sık sık meydana geldi. "Prizma Kapısı" gibi olayların gelişmesi ve küresel siyasi durumun değişmesiyle bilgi güvenliği dünyadaki tüm ülkelerin ilgisini çekmiştir. Kuantum iletişim sisteminin ortaya çıkışı, gelecekteki kuantum hesaplama çağındaki ağ güvenliği sorununu çözüyor. Kuantum güvenli iletişim uygulamaları alanında Çin, dünyanın ön saflarında yer almaktadır.
2012 yılında, Çinli bir bilim adamı ve Çin Bilim ve Teknoloji Üniversitesi'nde profesör olan Pan Jianwei ve diğerleri, dünyanın ilk 100 kilometre düzeyinde boş alan kuantum ışınlanmasını ve dolanma dağıtımını gerçekleştirmeyi başardılar ve dünyanın ilk "kuantum iletişim uydusunu başlatmak için milisaniye düzeyinde yüksek verimli kuantum bellek geliştirdiler. "Teknik temeli oluşturun. 16 Ağustos 2016'da, Çinli bilim adamları tarafından bağımsız olarak geliştirilen dünyanın ilk kuantum bilimi deneysel uydusu "Mozi", dünyada ilk kez uydu ile yer arasındaki kuantum iletişimini gerçekleştirecek uzaya fırlatıldı.
Bununla birlikte, 2012'de geliştirilen belleğin depolama süresi, hala uzun mesafe kuantum rölesi için gerçek talebin çok uzağındadır. Son yıllarda, Pan Jianweinin ekibi atomik hareketi sınırlandırmak için üç boyutlu optik kafesler gibi bir dizi önemli deneysel teknoloji geliştirdi, bu da atomik hareketin neden olduğu eş evreliğini büyük ölçüde bastırdı ve sonunda 0.22 saniyelik bir depolama ömrü ve% 76 okuma verimliliği elde etti. Yüksek performanslı kuantum bellek.
5. Japon araştırma ekibi, yüksek kaliteli 2 inç GaN yongaları ve MOSFET'ler üretti
Japonya'nın Mitsubishi Chemical ve Fuji Electric, Toyota Merkez Araştırma Enstitüsü, Kyoto Üniversitesi ve Endüstriyel Teknoloji Araştırma Enstitüsü'nün ortak ekibi, galyum nitrür (GaN) yongaları üzerinde GaN güç yarı iletkenleri oluşturmanın anahtar teknolojisini başarıyla çözdü. GaN güç yarı iletkenleri, silisyum karbür güç yarı iletkenlerinin yeni nesil teknolojisidir. Japonya, ışık yayan diyotların geliştirilmesi yoluyla GaN element teknolojisini biriktirmiştir ve GaN çip üretimi, dünyadaki en yüksek paya sahiptir. Mevcut teknoloji pratik kullanıma sokulursa dünyada hâkim durumda olacaktır.
Güç yarı iletkenleri, endüstride büyük talep gören ev aletlerinin, otomobillerin ve tramvayların enerji tasarrufu için elverişlidir. GaN güç yarı iletkenleri arasında, silikon substratlar üzerinde oluşturulan yatay GaN tabanlı yüksek elektronlu mobilite transistörleri gibi cihazlar toplu olarak üretildi, ancak GaN substratları üzerinde oluşturulan GaN ile yüksek performanslı metal oksit yarı iletken alan etkili transistörler (MOSFET'ler) üzerine araştırmalar yeni başladı. . Amerika Birleşik Devletleri de aktif olarak çalışıyor ve dünyanın kalkınma rekabeti şiddetli.
Japon ortak ekibi, yüksek kaliteli 2 inç GaN yongaları ve MOSFET'ler üretti. Mitsubishi Chemical, güç yarı iletkenleri için GaN çip seri üretim teknolojisi "Amonyak Termal Yöntemi" ni geliştirdi. Çipin ortalama kusur yoğunluğunu önceki düzeyin birkaç yüzde biri, santimetrekare başına binlercesine düşürmek için kristal büyüme koşullarını optimize edin. 2018 hedefleri, kusurları birden fazla basamakla daha da azaltmak ve 4 inç büyük boyutlu yongalara ulaşmaktır.
6. SK Hynix, dünyanın ilk 72 katmanlı 3DNAND'ını piyasaya sürdü
11 Nisan'da SK Hynix, TLC dizisine dayalı dünyanın ilk 72 katmanlı 256 Gb 3D NAND flash belleğinin piyasaya sürüldüğünü resmi olarak duyurdu. Bu aynı zamanda Kasım 2016'da ilk 48 katmanlı 3D NAND çipinin duyurulmasından sadece beş ay sonra, SK Hynix başka bir büyük atılım gerçekleştirdi.
Raporlara göre, daha önce piyasaya sürülen 48 katmanlı 3D NAND yongasına kıyasla 72 katmanlı yonga, birim sayısını 1,5 kat, üretim verimliliği ise% 30 arttı. Aynı zamanda yüksek hızlı devre tasarımının eklenmesi sayesinde 72 katmanlı yonganın dahili çalışma hızı 48 yonganın iki katına ulaştı ve okuma ve yazma performansı% 20 arttı.
SK Hynix, 72 katmanlı 3D NAND yongalarının, yüksek performanslı katı hal sürücüleri ve akıllı telefon cihazlarının ihtiyaçlarını karşılamak için bu yılın ikinci yarısında seri üretileceğini söyledi.
7. Amerikalı araştırmacılar 1nm proses üretiminin gerçekleştirildiğini duyurdu
Mayıs ayı başlarında, ABD Enerji Bakanlığı (DOE) bünyesindeki Brookhaven Ulusal Laboratuvarı araştırmacıları, yeni bir dünya rekoru kırdıklarını açıkladılar. Geleneksel yerine elektron ışını baskısı kullanarak yalnızca 1 nm boyutunda bir baskı cihazını başarıyla ürettiler. Litografi baskı teknolojisi.
Bu laboratuvardaki bilimsel araştırmacılar, elektron mikroskobunu sıradan EBL (Elektron Işını Baskısı) işleminden daha küçük bir boyut oluşturmak için yaratıcı bir şekilde kullandılar.Elektrona duyarlı malzemenin boyutu, odaklanmış elektron ışınının etkisi altında büyük ölçüde azaldı. Tek bir atomun manipüle edilebileceği noktaya. Oluşturdukları araç, elektriksel iletkenlikten ışık geçirgenliğine ve bu iki durumda etkileşime kadar malzemelerin özelliklerini büyük ölçüde değiştirebilir.
Başarıları Enerji Bakanlığı'na bağlı Fonksiyonel Nanomalzemeler Merkezinde tamamlandı. 1nm baskıda 11 nm ile ayrılmış STEM (taramalı projeksiyon elektron mikroskobu) kullanılarak milimetrekare başına 1 trilyon özellik elde edilebilir. Noktaların yoğunluğu. Dengeleme düzeltmeli STEM ile, bir hidroksit silikat direncinde 5 nm yarım geçit ile 2 nm çözünürlük elde edildi.
Aslında, bilim adamlarının 1nm düzeyinde bir süreci başardıkları ilk sefer değil. Geçen yıl, ABD Enerji Bakanlığı'na bağlı başka bir ulusal laboratuvar olan Lawrence Berkeley Ulusal Laboratuvarı da 1nm sürecini açıkladı.Karbon nanotüpler ve molibden disülfür kullandılar. Yeni malzemeleri bekleyin. Benzer şekilde, bu teknoloji yakında seri üretime geçmeyecek, çünkü buradaki PMMA ve elektron ışını litografisi gibi karbon nanotüp transistörler, mevcut yarı iletken işleminden önemli ölçüde farklıdır ve üreticilerin mevcut tüm ekipmanı bir kerede ortadan kaldırması gerekir. Bu imkansızdır.
8. Bilim adamları "dünyanın en ince" nanotellerini yarattı
Mayıs ayı sonlarında, Cambridge ve Warwick Üniversitesi'nden araştırmacılar, karbon nanotüpleri enjekte etmek için tellür kullandılar ve "dünyanın en ince" nanotelini (teli tek bir atom dizgisi genişliğine kadar daraltarak) başarıyla ürettiler.
Aslında, üç boyutlu (3B) dünyada, saf tek boyutlu (1D) veya iki boyutlu (2B) malzemeler yoktur. İnce bir kağıt tabakanın bile bir kalınlığı vardır, ancak düşünmeyi kolaylaştırmak için grafeni sadece uzunluk ve genişliğe sahip tek bir atomik tabakalı malzeme olarak düşünebiliriz.
Bu "tek boyutlu ultra-nanotel" konseptinin iki boyutlu grafen malzemelerle ortak bir yanı vardır. Tellürden yapılmıştır ve yalnızca tek bir atom genişliğine ve yüksekliğine sahiptir. Bununla birlikte, kararlılık kaygıları nedeniyle, araştırmacılar onu hala karbon nanotüplere "hapsetti".
Bununla birlikte, bu tek atomlu mikro ölçek aynı zamanda bazı problemleri de beraberinde getirir: Örneğin, atomlar genellikle bilim adamlarının varsayımlarıyla tutarsız davranışları çıkarırlar. Ek olarak, yapısal kısıtlamalar olmaksızın tek boyutlu malzemeler kolaylıkla parçalanabilir.
Makalenin yazarı Paulo Medeiros'a göre, bu kadar küçük ölçekli malzemelerle uğraşırken, genellikle bir yüzeye yerleştirilmeleri gerekir. Sorun, bu yüzeylerin genellikle reaktif olmasıdır. Bununla birlikte, karbon nanotüpler kimyasal olarak inerttir, sadece bu tek boyutlu yapıyı sabitlemekle kalmaz, aynı zamanda elektrik iletkenliğini de etkilemez. Bu, tek boyutlu malzemelerin fiziksel ve kimyasal özelliklerine ilişkin sistematik anlayışımızın sadece başlangıcıdır, ortaya çıkarmamızı bekleyen birçok temel fiziksel bilgi vardır.
Ek olarak, ekip nanotüplerin çapını değiştirerek tellürün diğer özelliklerini kontrol edebildiklerini keşfetti. Normalde bu eleman bir yarı iletkendir. Ancak katı koşullar altında, daha çok bir metal gibi davranır.
Apple, yeni patentli Bluetooth sensörlü araçların birbirleriyle iletişim kurabileceğini duyurdu
21 Ağustos'ta Apple, arabalar arasında iletişim kurmaya yardımcı olmak için sensör teknolojisini kullanan en son patentini duyurdu. Bu sensörün teknolojisi, aracın çevresindeki ortamı tarayabilen ve diğer araçlar, sensörler ve GPS ile veri iletebilen Bluetooth kısa menzilli kablosuz iletişimine benzer.
Apple tarafından bu kez geliştirilen sensörün, çevredeki ortamı tarayabilen, diğer otomobiller, sensörler ve GPS sistemleriyle iletişim kurabilen ve ayrıca sürücüye yolda dörtnala olduğunu hatırlatmak için sürücünün gösterge paneli ekranını güncelleyebilen Bluetooth kısa menzilli kablosuz teknolojisine benzediği anlaşılıyor. Araçlardan veya ambulanslardan geçmek. Apple, bu teknolojinin otonom sürüş alanında kullanılacağını söylemedi, ancak onu geri dönüş radarı ve kör nokta tespit sisteminin benzer gelişmiş bir versiyonu olarak tanımladı, bu sistemler otomobillerde yaygın olarak kullanıldı.
Arabalar arasındaki iletişim yeni bir şey değil. 2002'nin başlarında, bir otomotiv iletişim ittifakı olan Broadcom bu teknolojiyi inceliyordu ve Qualcomm'un da benzer çözümleri var.
Şu anda Bluetooth sensör patentini piyasaya sürmesi Apple için anlamlı. Apple CEO'su Cook, "otomatik sistemlerin kurulmasına büyük yatırım yapıyor, ana uygulamalardan biri otomobiller." Şu anda Apple, kullanmak üzere tasarlanmış geliştirilmiş bir mobil işletim sistemine sahip CarPlay'e sahip. Arabalar için. Otonom araçlar sürücü olarak daha geleneksel sorumluluklar üstlendiğinden, CarPlay gibi sistemler daha yaygın olarak kullanılabilir.
10. Qualcomm ilk 5G modem yonga setini piyasaya sürdü
Qualcomm, 17 Ekim'de Hong Kong'daki mobil terminaller için ilk 5G modem yonga setinin resmi lansmanını duyurdu ve mobil cihazlarla dünyanın ilk 5G veri bağlantısını başarıyla sergiledi. Qualcomm aynı zamanda yeni nesil hücresel bağlantılar için ilk 5G akıllı telefon referans tasarımını da sergiledi.
Qualcommun testi San Diegodaki Qualcomm Technologies laboratuvarında gerçekleştirildi. Deney, Qualcommun Snapdragon X50 NR modem yonga setinin birden çok 100 MHz 5G taşıyıcı aracılığıyla saniyede gigabit indirme hızına ulaştığını ve bu hızın şu anki hızdan daha hızlı olduğunu gösterdi. Akıllı telefonların 4G LTE kablosuz ağlarda indirme hızı birkaç kat daha hızlıdır. Qualcomm aynı zamanda 28GHz milimetre dalga frekansı bandındaki veri bağlantısını da tamamladı.Şu anda Qualcomm X505G taban bandı yalnızca 28GHz mmWave milimetre dalga spesifikasyonunu destekliyor ve yalnızca Güney Kore'de KT ve Amerika Birleşik Devletleri'nde Verizon olmak üzere iki operatör tarafından destekleniyor.
Qualcomm, mobil cihazların 5G veri bağlantısını göstermek için referans tasarım olarak ilk 5G akıllı telefonu da getirdi. Bu telefonun tam ekran tasarım, ön parmak izi kullandığı, ekran altı parmak izi tanımayı desteklediği, arka çift kamera, 9mm kalınlığında olduğu bildirildi. Qualcomm, 5G akıllı telefonların ve ağların 2019'un ilk yarısında ticari olarak satışa sunulacağını, bu sırada 5G temel bant, radyo frekansı ve ağların 1-2 yıllık hata ayıklama süresi gerektireceğini söyledi.
Qualcomm Başkan Yardımcısı Cristiano Amon şunları söyledi: "Bu önemli kilometre taşı ve 5G akıllı telefon referans tasarımımız, Qualcomm Technologies'in dünya çapındaki tüketicilerin mobil geniş bant deneyimini geliştirmek için mobil terminal alanında 5G yeni hava portlarının geliştirilmesini teşvik ettiğini tam olarak gösteriyor."
Nitekim Qualcomm, geçen yıl dünyanın ilk 5G temel bant çözümü olan "Snapdragon X505G Modem" i piyasaya sürdü ve Şubat ayında Qualcomm 5G Zirvesinde bu test için 5G Yeni Radyosunun tamamlandığını duyurdu ve 2018'de yapılması bekleniyor. İlgili ekipman mevcuttur.
Qualcomm'a ek olarak Intel, Apple ve Huawei gibi üreticilerin hepsi 5G devrimini desteklemek için çok çalışıyor. 5G teknolojisi, gelecekte Nesnelerin İnterneti teknolojisinin yaygınlaşmasının temeli haline gelecektir. Qualcomm QCT teknolojisinin başkan yardımcısı Li Weixing'e göre, 5G teknolojisinin enerji yönetimi, giyilebilir cihazlar, ağa bağlı tıbbi bakım, nesne izleme ve çevresel izleme gibi alanlarda kullanılması bekleniyor.
