Guotai Junan: Çip yerelleştirme için bir savaş alanı
2018'de Çin, aralarında Samsung Electronics, SK Hynix ve Micron Electronics'in dünyanın üçte birine sahip olduğu ve yerli üreticilerin% -0 paya sahip olduğu 90 milyar ABD dolarından fazla bellek yongası ithal etti.
Aynı yılın 18 Temmuz'unda, üç büyük yerel depolama gücünden biri olan Hefei Changxin, 8Gb LPDDR4 ürün spesifikasyonuna sahip filmi resmi olarak piyasaya sürdü.Bu, Çin DRAM endüstrisi için zor bir ilk adımdır.
Çekim, çip tasarımının belli bir seviyeye ulaştığı ve ürün lansmanının hemen köşede olduğu anlamına gelir, ancak gelecekteki ürün üretiminin verimi ve istikrarı görülecek.
Dahası, Hefei Changxin'in üretim kapasitesi önümüzdeki yılın sonunda ayda 20.000 gofret / aydan fazla olmayacak.LpDDR4'ün teknoloji açığını önümüzdeki yıl uluslararası ana akımda dikkate almasanız bile, 20.000 gofret / ay üretim kapasitesi, milyonlarca gofretin küresel aylık üretim kapasitesini etkileyecektir. Gofret kapasitesi hala kovada bir düşüş.
Guotai Junan Electronics ekibi Japonya, Amerika Birleşik Devletleri ve Güney Kore'deki DRAM Ar-Ge sürecini gözden geçirdi ve Çin'in bu endüstriyel değişimde alabileceği stratejilere ayrıntılı bir bakış sundu.
Çin, çiplerin yerelleştirilmesinde vazgeçilmez olan DRAM savaşına saldırmak için nasıl inisiyatif alabilir ve ne gibi yatırım fırsatları getirebilir?
Japonya, Amerika ve Kore'nin Romantizmi
1969'da Intel (INTC.US), Noyce ve Moore gibi ilk nesil entegre devrelerin öncülerinin çabaları sayesinde 64 bayt kapasiteli ilk bellek yongası olan 3101 yongasını başarıyla geliştirdi.
Ertesi yıl, Intelin 12 numaralı çalışanı Ted Hoff, DRAM bellek hücrelerindeki transistör sayısını dörtten üçe düşürerek depolama alanını 1024 bayta çıkaran yeni bir tasarım önerdi.
Bu, bugün kullandığımız DRAM'in teknik prototipidir.
Kuşkusuz, şu anda Amerika Birleşik Devletleri yengeç yiyen ilk kişiydi. O zamanlar, kişisel bilgisayarlar henüz popüler değildi ve düşük talep ve düşük fiyat, teknolojiyi endüstrinin temel itici gücü haline getirdi ve iş savaşına ulaşılamayacak kadar uzaktı. Bu nedenle, 1970'de 2K silinebilir programlanabilir salt okunur bellekten (Eprom), 1972'de dünyanın ilk statik rasgele erişimli belleğinin (SRAM) piyasaya sürülmesine, 4K16K ve 64KDRAM yongalarının ortaya çıkmasına kadar. Teknolojiden güç alan bellek Kapasite katlanarak büyümeye devam ediyor.
Teknik engeller de sürpriz olmayan bir tekeli getirdi.Intel ve MOSTEK gibi Amerikan şirketleri o dönemde tüm pazarı tekelleştirdi.
Ancak kısa süre sonra Japon depolama endüstrisinin yükselişi, orijinal rekabet ortamını bozdu.
1971'de Japonya'nın NEC şirketi, Intel'in seri üretim DRAM'ini yakından takip ederek DRAM yongalarını tanıttı. Buna rağmen, Japonya'nın yarı iletken teknolojisi ve ürün performansı ile Amerika Birleşik Devletleri arasında hala büyük bir boşluk var. Aynı dönemde, ABD belleği çok büyük ölçekli tümleşik devreler (VLSI) kullanırken, Japonya hala önceki nesil büyük ölçekli entegre devrelerde (LSI) sıkışıp kalmıştır.
1970'lerde Japon hükümeti teknik engelleri aşmak için bir yandan "endüstri, hükümet ve akademi" ye ve endüstriyel koruma için ithalat engellerine odaklanarak yerel yarı iletken gücünün gelişimini destekledi. 1976'da Japon hükümetinin Uluslararası Ticaret ve Sanayi Bakanlığı önderliğinde, omurga olarak Hitachi, Mitsubishi, Fujitsu, Toshiba ve NEC ile Japonya Uluslararası Ticaret ve Sanayi Bakanlığı Elektrik Teknolojisi Laboratuvarı (EIL) ve Japonya Endüstriyel Teknoloji Enstitüsü Entegre Elektronik Araştırma Enstitüsü ile birleşti. Enstitü ve Bilgisayar Araştırma Enstitüsü, VLSI DRAM'in teknik zorluklarıyla mücadele etmek için 72 milyar yen yatırım yaptı.
Japonya'nın VLSI araştırma projesinin devlet-endüstri-akademik entegrasyon modeli
Veri kaynağı: Industry Information Network, Guotai Junan Securities Research
Dört yıllık VLSI araştırma projesi dikkate değer sonuçlar elde etti.Farklı şirketlerden ekipler bir yandan birbirleriyle iletişim kurarken, diğer yandan birbirleriyle rekabet ediyorlar. 1.210 patent ve 347 ticari sır elde ettiler. O zamandan beri Japonya, DRAM maliyeti ve güvenilirliğinde Amerika Birleşik Devletleri'ni geride bıraktı. 1970'lerin sonunda, Amerika Birleşik Devletleri'ndeki DRAM verim oranı% 50 civarındayken, Japonya o zaman şaşırtıcı bir şekilde% 80'lik bir maliyet avantajı elde etmeyi başardı ve bu çok büyük bir genel maliyet avantajı oluşturdu.
Sonuç olarak, Japon depolama şirketleri, bir fiyat savaşını kışkırtmak için kazandıkları zaferlerden faydalandı. DRAM yongaları 1981'de 50 ABD dolarından 1982'de 5 ABD dolarına düştü. Amerikalı üreticiler yardım edemedi, ancak geri çekildi. 1980'lerin sonunda ve 1990'ların başında, Japon DRAM çipleri Küresel pazar payının% 65'inden fazlasıyla, bir anda Amerika Birleşik Devletleri'ni aştı ve Intel'i DRAM pazarının dışına çıkardı.
Japonya ve Amerika Birleşik Devletleri arasındaki rekabet, 1960'larda pastoral hafıza çağının sonunu işaret etti. Bellek pazarının hızlı büyümesi, teknoloji, sermaye ve pazarın üç ana unsuru için gereksinimleri hızla artırmıştır.
Böylesine rekabetçi bir ortam Korelilerin, oyunun ikinci yarısında, tek başına bir şirketin gücüyle hayatta kalmanın zor olduğunu ve geç gelen takipçilerin şirket ve hükümetin işbirliği yoluyla başarılı olmaya mecbur olduğunu anlamasını sağladı.
Başlangıçta, Güney Kore'nin yarı iletken endüstrisi zayıftı. Fabrikalar inşa etmek için yabancı yatırımı çekmek için yalnızca düşük işçilik maliyetlerine ve arazi maliyetlerine dayanıyordu ve sektörün prototipini oluşturuyordu. Ancak, teknoloji eksikliği ve emek yoğun alt uç geliştirme modeli hızla endüstriyel kalkınmada ölümcül bir hasar haline geldi.
Güney Kore, Japonya'nın modelinden akıllıca bir şeyler öğrendi ve temel teknolojileri geliştirmek için tüm gücünü kullandı. Güney Kore hükümeti, 1973'te "Ağır Sanayi Teşvik Planı" nı açıkladı ve 1975 yılında yarı iletken endüstrisini desteklemek için altı yıllık bir plan açıkladı ve elektronik parçaların ve yarı iletken üretiminin yerelleştirilmesini vurguladı. Kore Elektronik ve Haberleşme Enstitüsü liderliğindeki Kore hükümeti, DRAM'ın teknik zorluklarının üstesinden gelmek için yoğun bir şekilde yatırım yaptı ve Samsung, LG, Hyundai ve Güney Kore'deki altı üniversite ile birleşti.
Tekneyi kırma cesareti Korelilerin nadir bir tarihsel fırsatı yakalamalarına yardımcı oldu: 1987'de Japon-ABD yarı iletken anlaşmazlığı DRAM üretiminin kesilmesine neden oldu. Koreli hafıza şirketleri pazardaki boşluğu doldurma fırsatını yakaladılar.
Bu noktada Çin, günümüzün Çin'deki hafıza talebi için en anlamlı referanstır.
Kolaylaştırılmış harici depolama, demirle sertleştirilmiş DRAM DRAM, küçük boyutu, düşük fiyatı, yüksek entegrasyonu, düşük güç tüketimi ve hızlı okuma ve yazma hızı nedeniyle her zaman bellek için en iyi ortam olmuştur.
Son on yılda, akıllı telefonların ve taşınabilir cihazların gelişimi, harici depolama ortamlarının sürekli güncellenmesini ve yinelenmesini sağlamıştır.Harici depolama ortamı karıştırma sürecinde, DRAM'ın pazar payı% 50'nin üzerinde tutulmuştur ve bu da teknolojik gelişmeyi tam olarak yansıtmaktadır. Ölçeklenebilirlik ve büyük pazar talebi.
Pazar açısından bakıldığında, bellek piyasası belirgin döngüsel dalgalanmalar sergiliyor. Bununla birlikte, uzun vadeli eğilimler açısından, döngüsel dalgalanmaların aralığı giderek azalmaktadır ve sektörün genel yükseliş eğilimi açıktır.
Hafıza pazarının döngüsel dalgalanmaları giderek azalır (milyar ABD doları)
Veri kaynağı: Micron, Guotai Junan Securities Research
Talep yönünden, belleğin talep yapısı hızla çeşitlenmeye doğru değişiyor: akıllı telefon sevkiyatlarındaki zayıf büyüme bağlamında, 2018'deki DRAM bitlerine olan talep, akıllı telefonlar için tek talep noktasından geçmişte akıllı telefon talebine değişecek. Sunucu gereksinimlerine ayak uydurun.
Akıllı telefon talebi açısından bakıldığında, akıllı telefon sevkiyatlarındaki zayıf büyüme bağlamında, geçmişte yaşanan sevkiyat hacmi + bağımsız kapasite güdüsü, gelecekte tek noktadan kapasite artırımı na dönüşecektir.
Akıllı telefonların ortalama DRAM kapasitesi artmaya devam ediyor
Veri kaynağı: TrendForce, Guotai Junan Securities Research
Küresel akıllı telefon gönderileri 2017'de yorgunluk belirtileri göstermeye başlasa da, Çin yerel cep telefonu markalarının aykırı genişlemesi büyük bir bellek talebi getirdi. 2018'de küresel akıllı telefon pazarında Huawei, OPPO, VIVO, Xiaomi'nin dört büyük markası (01810), 2017'ye göre% 7 artışla pazarın% 37'sini oluşturdu. Lenovo (00992) (% 3) ve OnePlus gibi markalar için Çin markalı akıllı telefonların pazar payı neredeyse% 50. .
Daha olgun PC pazarında, Lenovo, Acer ve Asus'un üç büyük Çin markası, dünyanın en iyi altı PC nakliye markası arasında yer aldı. Yerli DRAM seri üretildikten sonra, bu Çin markaları en potansiyel tüketici müşterileri haline gelecek ve gelecekte yerel bellek kapasitesinin emilmesinde başı çekmeleri bekleniyor.
Çin, en büyük yarı iletken tüketici pazarıdır
Veri kaynağı: SIA, Guotai Junan Securities Research
Sunucu talebi açısından bakıldığında, sevkiyatların düşük büyüme hızına rağmen, tek bir makinenin kapasitesi hızla artıyor. DRAMeXrange tahminlerine göre 2018 yılında sunucuların ortalama bellek yükü 145 GB'a ulaştı ve 2021 yılına kadar standart sunucuların ortalama DRAM kapasitesinin 366 GB'a, CAGR'nin ise% 26'ya ulaşması bekleniyor.
Ek olarak, veri merkezleri ve derin öğrenme gibi özel ihtiyaçlara sahip sunucuların hızlı büyümesi, sunucu alanında DRAM talebini de artıracaktır.
DRAMeXchange istatistiklerine göre, bir IDC ortalama olarak yaklaşık 8.000 ila 15.000 sunucu rafı tutabilir ve bir raf, 10 milyon ila 2 milyon GB sunucu DRAM bit talebini artıracağı tahmin edilen farklı boyutlarda 4'ten fazla sunucuyu tutabilir.
Küresel sunucu sevkiyatlarında istikrarlı büyüme
Veri kaynağı: Wind, Guotai Junan Securities Research
Bu nedenle, Guotai Junan Electronics ekibi, gelecekte bulut hizmetleri ve büyük veri gibi uygulamaların getirdiği sunucu DRAM talebinin gelecekte DRAM pazarı için güçlü bir büyüme faktörü olacağına inanıyor. DRAMeXchange istatistiklerine göre, DRAM talebi 2018'de% 22,3 arttı ve sunucu uygulamaları iki yıl üst üste en hızlı büyüme oranını korudu.
DRAM talebinin yıllık büyüme oranı% 20'nin üzerinde sabitlendi
Veri kaynağı: DRAMeXchange, Guotai Junan Securities Research
Tedarik açısından, DRAM teknolojisinin ilerlemesi yavaşladıkça, genel arz büyüme hızı yavaşladı ve üretim kapasitesindeki dalgalanmalar temelde sabit kaldı.
Üretim kapasitesi açısından, DRAM bit arzının büyüme kaynağı esas olarak teknolojik ilerlemenin getirdiği yoğunluk artışından kaynaklanmaktadır ve kapasite genişlemesinin getirdiği üretim hacmindeki artışla desteklenmektedir. Bununla birlikte, son yıllarda DRAM 20nm sürecine girdikten sonra, süreç iyileştirme darboğazları ile karşılaşmaya başladı.Ana akım üreticiler, maliyet ve Ar-Ge zorlukları nedeniyle 1Xnm ve altı süreçlerin geliştirilmesi ve uygulanmasında temkinli davrandılar.
Şu anda Samsung, Micron ve Hynix, 20nm'den 18nm'ye ilerlemek için mücadele ediyor ve Tayvanlı üreticiler hala Nanya'ya ek olarak çoğunlukla 38nm işlem kullanıyor. Süreç ilerlemesindeki yavaşlama ve depolama yoğunluğu artışındaki azalma, DRAM entegre bit tedarikinin büyüme oranında bir düşüşe neden oldu.
Üretim açısından, 2010'dan 2013'e kadar küresel DRAM üretim kapasitesi ve üretim hacminde önemli bir değişiklik oldu. 2010 yılında, 40nm proses DRAM ürünleri ana pazara girmeye başladı ve proses teknolojisinin öncüsü, takip eden üç yıl içinde hızla 20 nm'ye çıktı. Arz açısından bakıldığında 2013-2017, üretim kapasitesi için bir platform dönemi olup, toplam üretim kapasitesi sabittir ve 20nm proses oranı giderek artmaktadır. Bu dönemde, DRAM'ın fiyatı, esas olarak önceki sürecin iyileştirilmesinin getirdiği bol arz nedeniyle önce düştü ve ardından yükseldi.
2018'de Samsung, üretimini% 8 artırdı ve Hynix'in Wuxi fabrikası da biraz genişleyerek talep boşluğunu hızla doldurdu ve patlama pazarı sona erdi. Ancak bundan sonra, Hynix dışında başka hiçbir büyük üretici üretimlerini büyük ölçüde genişletmedi ve toplam yıllık üretim hacmi% 3 ila% 5 arasında arttı.
2020'den sonra, 5G ve yapay zekanın yaygınlaştırılması ve uygulanması yarı iletken talebini yönlendirmede önemli bir güç haline gelecek.Aynı zamanda, yeni nesil DRAM süreci de yayılmaya başlayacak.Tüm DRAM pazarının arz-talep ilişkisi daha karmaşık olacak, ancak ölçekte genel yükseliş eğilimi kesin.
Bu nedenle Guotai Junan Electronics ekibi, önümüzdeki iki yılın film yapım hacmi ve süreç seviyesinde çift platformlu bir dönem olacağına inanıyor. 2019'da talep artış oranının envanteri aşması ve DRAM bitlerinin arz ve talebinin 2020 civarında dengeye ulaşması bekleniyor.
Mevcut küresel DRAM üretim hacmi temelde sabittir (bin)
Veri kaynağı: DRAMeXchange, Guotai Junan Securities Research
Pazar rekabeti açısından bakıldığında, bellek endüstrisinin yüksek teknoloji içeriği ve yüksek Ar-Ge maliyetleri, sermaye harcamalarını büyük hale getirmekte ve büyüme oranı diğer endüstrilere göre daha yüksek olup, sağlam bir tekel yapısıyla sonuçlanmakta ve Matthew etkisi devlerin avantajları altında yoğunlaşmaktadır.
Samsung Micron ve Hynix'in üç devi, DRAM alanında "yüksek pazar payı yüksek ciro büyük Ar-Ge yatırımı lider teknoloji pazarı ele geçirme" şeklinde erdemli bir çember oluşturdu.
DRAM, 2018'de Üç Büyükler tarafından tekelleştirildi
Veri kaynağı: IDC, Guotai Junan Securities Research
Çinli oyuncular pazara girme fırsatını yakaladı
Öyleyse, depolama endüstrisinde yükselen bir yıldız olarak böylesine rekabetçi bir ortamda, Çin çip yerelleştirme yolunu nasıl düzeltebilir?
"Yedinci Beş Yıllık Plan" döneminde Çin'in depolama endüstrisi zincirine, bağımsız araştırma ve geliştirmeden teknolojinin tanıtılmasına kadar sadece 40 yıl içinde bakıldığında, Çinin entegre devre teknolojisi "531" geliştirme stratejisi Çinin ilk 64k DRAMini başarıyla geliştirdi, " Sekizinci Beş Yıllık Plan sırasında "908 Projesi" ve Dokuzuncu Beş Yıllık Plan sırasında "909" Projesi, sırasıyla Wuxi Huajing Electronics ve Shanghai Huahong Mikroelektronik'te iki fabrikayı doğurdu. China Capital, art arda Qimonda Teknolojisini satın aldı ( Xi'an) Co., Ltd. yerel DRAM tasarımındaki boşluğu dolduruyor ve denizaşırı bir DRAM üreticisi olan ISSI'nin büyük harf kullanımı, Çin depolama endüstrisi zincirini çok fazla renkle doldurdu.
2014'ten sonra, entegre devre endüstrisi kademeli olarak ekonomik yapı iyileştirmesinin ana gelişme yönü haline geldiğinden, ilgi ve fonlar aktı ve Çin'in depolama endüstrisi resmen IDM dönemine girdi. Temsilci şirket Hefei Changxin, bileşenler, maskeler, tasarım, üretim ve test alanlarında birçok teknoloji ve deneyim biriktirmiştir.
Çin ekonomisi hızlı gelişmeyi sürdürürken ve daha yüksek katma değerli bir endüstriyel yapı dönüşümü arayışını sürekli olarak güçlendirirken. Ulusal güvenliği ve diğer faktörleri üst üste koymak, IC'nin yerelleşmesini yeni bir düzeye daha da ilerletecektir.
Yarı iletken endüstrisinin gelişim tarihi boyunca, küresel yarı iletken endüstrisi Amerika Birleşik Devletleri'nden Japonya'ya, Japonya'dan Tayvan'a ve Güney Kore'den Çin'e göç etmiştir.
Dünya çapında üç yarı iletken endüstri transferi
Veri kaynağı: ICInsights, Guotai Junan Securities Research
Endüstriyel transfer eğilimi, üretim kapasitesinin transferinden ve talebin transferinden ayrılamaz. Çin kendisi dünyanın en büyük yarı iletken tüketici pazarıdır ve yarı iletken üretim kapasitesi ve teknolojisi hızla artmaktadır. Büyük pazar talebi, yarı iletken endüstrisinin gelişimini yönlendiren temel faktördür ve aynı zamanda endüstriyel zincirin küresel ölçekte sürekli olarak ayarlanması ve aktarılması için önemli bir nedendir. Şu anda, dünyadaki elektronik ürünlerin% 60'ından fazlası Çin'de üretiliyor ve gerekli yarı iletken tüketimi çok büyük.
Amerika Birleşik Devletleri, Japonya ve Güney Kore'de depolama endüstrisinin yükselişi ve ilerlemesinden, depolama endüstrisi ile ulusal ekonominin stratejik yönü ve sosyal kapsamlı kaynaklar arasındaki ilişkinin yakınlaştığını görmek zor değil. Çinli depolama şirketlerinin yükselişi bu destekten ayrılamaz.Üretim kapasitesinin ve talebin Çin'in yarı iletken endüstrisine aktarılması bağlamında, artık yerel depolama endüstrisinin hızlı gelişimini desteklemek için birden fazla gücün birlikte çalışması için bir fırsat penceresi.
Ulusal düzey, entegre devrelerin yerelleştirme sürecine büyük önem vermektedir: 2014 yılında, "Ulusal Entegre Devre Sektörü Geliştirme Teşvik Programı", genel bir endüstriyel zincir düzeni "yonga tasarımı-yonga üretimi-paketleme ve test ekipmanı ve malzemeleri" önerdi. Aynı yıl, 100 milyar düzeyinde bir tesis kurulması Sanayi fonları, ilgili şirketlere sermaye enjeksiyonu şeklinde finansal yatırım desteği sağlamaktadır.
30 Kasım 2017 itibariyle, Büyük Fon, 46 şirketi içeren, 106,3 milyar yuan toplam etkin taahhüt ve 79,4 milyar yuan fiili yatırım ile 62 proje üzerinde etkili kararlar aldı. Şu anda, "büyük fonun" ikinci aşaması yükseltildi ve toplam ölçeğin 150 ila 200 milyar yuan'a ulaşması bekleniyor.Aynı zamanda, tasarım endüstrisindeki yatırım oranı da giderek artıyor.
Sonuçlara göre, uluslararası yarı iletken pazarının büyümesi son yıllarda istikrar kazandı. 2017'de küresel yarı iletken pazar satışları 412,4 milyar ABD dolarıydı, bunun Çin pazarındaki yarı iletken satışları 131,5 milyar ABD dolarıydı ve küresel yarı iletken satışlarının% 32'sini oluşturuyordu.
Küresel yarı iletken sermaye harcamaları perspektifinden bakıldığında, Çin'in yarı iletken üretim kapasitesi hızla güçleniyor. 2018'de Çin'in yarı iletken sermaye harcaması 12,82 milyar ABD doları idi ve 2020'de temelde Güney Kore ile aynı olan ve bazen aşan 17,06 milyar ABD dolarına ulaşması bekleniyor. 2014'ten 2020'ye, Samsung'un 2017'deki önemli yatırımı haricinde, anakara yarı iletken sermaye harcamalarının büyüme oranı, küresel büyüme oranından çok daha yüksek.
Bu nedenle depolama sektörünün yüksek engellere sahip olduğuna ama kırılmaz olmadığına inanıyoruz. Yeni üreticilerin yükselişi teknolojik atılımlardan, finansal güçten ve pazar eşleşmesinden ayrılamaz.
Bir önceki makalede belirtildiği gibi, Amerika Birleşik Devletleri, Japonya ve Güney Kore'de depolama endüstrilerinin yükselişi ve ilerlemesinden dolayı bellek endüstrisinin ulusal ekonominin stratejik yönüne ve sosyal kapsamlı kaynaklara yaklaştığını görmek zor değil. Teknoloji tanıtımı + üretim, eğitim ve araştırma entegrasyonu, bağımsız araştırma ve geliştirme + kapsamlı destek geliştirme yolu da Çin için uygundur.Mevcut Çin pazar talebinin üzerine yerleştirildiğinde, Çin'in yanı sıra diğer büyük ülkelerin de benzersiz bir avantajı olan iyi huylu bir endüstriyel kapalı döngü oluşturmak kolaydır.
