"Nenggu Electronics" Geleceğin yüksek verimli yarı iletken teknolojisinin temel teorisi
Bilim adamları, yeni nesil yarı iletken teknolojisi olarak dikkat çeken Valleytronics (Nenggu Electronics) teknolojisinin gelişimini genişletebilecek bir teori keşfettiler. Bunun "Energy Valley Electronics" teknolojisinin gelişimini daha da teşvik etmesi ve yeni nesil manyetik teknolojinin mevcut veri işleme hızını aşması bekleniyor. DGIST, Emerging Materials Science DGIST Bölümü'nden Profesör Li Jiadong'un (transliterasyon) araştırma ekibinin, yeni nesil yarı iletkenlerin performansına, anormal akımların gelişimine ve kontrol mekanizmalarına katkıda bulunacak vadilerin oluşumunu keşfettiğini duyurdu. Bu çalışma, vadi alanı, akıntı ve iki farklı fiziksel büyüklük arasındaki ilişkiyi bulmuş ve uygulamıştır ki bu büyük önem taşımaktadır.
Vadi, vadi dönüşü olarak da adlandırılan enerjili bir tepe noktası veya kenardır. Elektronik, bilgileri depolamak ve kullanmak için kuantum sayılarını kullanır ve kuantum sayıları vadi değerini belirler. Kuantum bilgi depolama kapasitesi, mevcut şarj veya dönüş kontrol teknolojisini aşıyor ve gelecekteki elektronik cihazlar ve kuantum hesaplama teknolojileri için uygundur. Elektron spintronik ve nanoelektronik, yeni nesil yarı iletken mühendisliği alanında sınırsız geliştirme potansiyeline sahip olduğundan, birçok araştırmacı vadi kontrolü üzerine araştırmalar yapmaktadır. Bununla birlikte, stabiliteyi garanti etmek zor olduğundan ve vadi sayısı büyük olduğundan, gerçek uygulanabilirlik yüksek değildir.
Bu araştırma sayesinde araştırma ekibi, gelecek nesil iki boyutlu tek katmanlı yarı iletken malzeme molibden disülfürde vadi alanlarının oluşumunu keşfederek vadi dönüş stabilitesi sorununu çözdü. Vadi alanı, maddenin içindeki aynı vadi momentumuna sahip elektron alanı olarak tanımlanır. Araştırma ekibi, aşırı nanoyapılarda oluşan vadilerin dönüşler yerine bilgiyi depolamak için kullanılabileceğini buldu.
Ek olarak, araştırma ekibi, vadinin boyutunu kontrol ederek anormal yanal akımın üretilebileceğini de buldu. Bölge duvarının hareketinden dolayı, anormal bir yanal akım kaçınılmaz olarak üretilecek ve vadi alanı hareket yönünün bir yönünde akacaktır. Araştırma ayrıca mevcut heteroyapılı yarı iletken diyottan farklı tek kristal nano yapılı bir madde olan diyot mekanizmasının uygulanabilirliğini önerdi ve gösterdi.
Gelişen Malzeme Bilimi Bölümünden Profesör Li Jiadong, şunları söyledi: Bu araştırma sayesinde, elektroniğin temel teorisini keşfettik.Bu iki farklı fenomeni tek bir iki boyutlu kristal malzemede kontrol etmek için vadi manyetizmasını ve elektrik sinyallerini aynı anda kullanabilir. "Gu Electronics" araştırması, düşük güçlü, yüksek hızlı bilgi depolama platformlarının geliştirilmesini hızlandırmak için daha fazla alana uygulanabilir. Tek eksenli olarak gerilmiş MoS2 katmanında uygulanan gerilme ile meyve eğriliğinin yeniden yapılandırılması arasındaki etkileşim, K ve -K noktalarında merkezlenmiş meyvenin eğriliğinde bir dengesizliğe neden olur ve son olarak bir dış elektrik alanının etkisi altında vadi mıknatıslanmasına yol açar. Vadi manyetoelektrik etkisinin deneysel gözlemi ve yeni bir vadi manyetik alanı (VMD) kavramı, yani vadi manyetizasyonunun gerçek uzay düzgün dağılımı önerdi.
Vadi manyetik alanlarının gerçekleştirilmesi, vadi elektroniğinin en temel ön koşullarından biri olan yeterli sayıda sabit vadi polarize taşıyıcıları sağlar. Ek olarak, elektrik alanına dik anormal enine akımın manipülasyonunu gerçekleştiren vadi manyetik alan aktivasyonu yoluyla anormal elektronik dinamikler keşfedildi ve vadi manyetik alanı altındaki akım modülasyonu (yani, VMD anahtarı altındaki güneş) gibi sinyali doğrudan işleyebildi. Hertz akım düzeltmesi). Bu, potansiyel cihaz uygulamalarının temel bir bileşeni olarak "enerji vadisi elektronlarının" işlevi ve işleyişi hakkında yeni fiziksel bilgiler sağlamak için kullanılan vadi manyetik alanları kavramını ortaya koymaktadır.
