Micron bellek yol haritası: altı adede kadar 10 nm düzeyinde işlem, tek bir 64 GB yakında geliyor
Belirli değerlere göre hassas olan CPU işlemcileri gibi mantık yongalarının üretim sürecinden farklı olarak, flash bellek ve bellek işlemleri her zaman belirsiz bir şekilde adlandırılmıştır, örneğin yalnızca 20nm ile 10nm arasında olan 10nm sınıfı (10nm seviyesi) ve sonra tekrar 1xnm, 1ynm, 1znm ve diğer farklı sürümlere bölünmüş, gitgide daha gelişmiş, gerçek 10nm'ye daha yakın ve daha yakın.
İleri yarı iletken teknolojisinin zorluğunun hızla artmasıyla birlikte Intel gibi devler bunalmaya başlıyor ve teknolojide her zaman dikkatli davranan Micron gibi flash bellek üreticileri de yeni bir yol izliyor.
Samsung ve SK Hynix ile karşılaştırıldığında, Micron aynı zamanda DRAM bellek devlerinden biri olmasına rağmen, teknoloji çok gelişmiş değil ve 10nm seviyesinde çok fazla iş çıkardı.Diş macunu sıkmanın yeni yöntemi Intel'i iç çekiyor.
Micron, 1xnm olan birinci nesil 10nm düzeyindeki süreci halihazırda olgunlaştırdı. Şu anda, 12Gb LPDDR4X ve 16Gb DDR4 parçacıkları üreten ikinci nesil 1ynm'nin üretim kapasitesini genişletiyor.
Micron şu anda üçüncü nesil 1znm'yi müşterilerle doğruluyor Yakında resmi olarak duyurulması ve 2020 mali yılında (bu yılın Eylül ayından itibaren) seri üretime geçmesi bekleniyor.Ağırlıklı olarak 16 Gb LPDDR5 ve DDR5 partiküllerinin üretiminde kullanılacağı söyleniyor.
DRAM bellek endüstrisindeki geçmiş uygulamaya göre, bir sonraki adım 10nm sürecini aşmaktır, ancak tek haneli çağa girmek çok zordur. Micron, birkaç yıl daha 1nm seviyesinde kalmayı planlıyor ve en az üç yeni 10nm seviyesinde süreç hazırladı: 1nm, 1nm ve 1nm-evet, tüm Yunan harfleri kullanılıyor.
Sonuç olarak, Micron altı adet 10 nm düzeyinde işleme sahip olacak, Bazı araştırma kurumları, Micron'un aslında yükseltilmiş bir 1xsnm sürümüne sahip olduğunu söylüyor. , Ama resmi olarak onaylanmadı. Doğruysa, yedi tane olacak. Gelecekte daha fazla sürüm eklemeyi göz ardı etmemeliyiz.
Elbette, 1nm, 1nm ve 1nm, birinden daha gelişmiş olacak ve biri diğerinden 10nm'ye daha yakın olacaktır.Ancak, Micron belirli ayrıntıları açıklamadı, ancak Sürükleyici dörtlü pozlama teknolojisi, mevcut çift pozlama ve üçlü pozlamadan daha karmaşık olan 1nm ve 1nm aşamalarında kullanılacaktır.
Aynı zamanda güzellik Işık hala EUV aşırı ultraviyole litografi teknolojisini değerlendiriyor ve o zamana kadar yalnızca çift pozlama bekleniyor , Sürecin karmaşıklığını büyük ölçüde azaltabilir, ancak Micron henüz ne zaman ve hangi nesil işlemin kullanılacağına karar vermedi.
Micron, DRAM bellek üretimindeki her bir EUV katmanının, aylık 100.000 plaka üretim kapasitesine sahip 1.5-2 set EUV litografi makinesi gerektirdiğini tahmin etmektedir. CPU'lar gibi mantık yongaları için bir EUV katmanı, bir EUV litografi makinesine karşılık gelir. Aylık üretim kapasitesi, Sadece 45.000 gofret var.
Şu anda, TSMC ve Samsung, 7nm işlem yükseltme sürümünde EUV'yi kısmen tanıtmaya başladı ve bir sonraki 5nm tam olarak konuşlandırılacak. DRAM bellek endüstrisi açıkça bu kadar hızlı olmayacak.
Ek olarak, Taipei Computer Show'da, ADATA ve Inrad'ın (Micron tüketici markası), Micronun en son 1ynm 16Gb DDR4 parçacıklarını kullanarak tek bir 32GB DDR4 UDIMM tüketici bellek modülünü sergilediğini gördük.
Micron, bu tür parçacıkları yapmak için de kullanacağını ortaya çıkardı. Tek bir 64 GB RDIMM sunucu belleği.
