LPDDR5, Xiaomi 10'da ortaya çıkıyor ve dalgalar Çin yarı iletkenlerinin hafızasında (bölüm 2)
IT House'un "Xiaomi 10'dan Rüzgar, Bellek Nehirlerinden Dalgalar ve LPDDR5'in Arkasındaki Göllerden Gelen Dalgalar (Bölüm 1)" adlı bir önceki makalede, Xi Yuan size bu arada Xiaomi 10 tarafından yakılan LPDDR5 belleğinin ne olduğuna dair kısa bir giriş yaptı. LPDDR belleğin gelişimine bakın.
Plana göre, bu makale DRAM depolama pazarının mevcut gelişimini ve Çin'in DRAM alanındaki ilerlemesini BT ev arkadaşlarının çoğunluğuyla paylaşacak. Mevcut uluslararası durumun dikkate alınmasına bakılmaksızın, Çin'in yarı iletken endüstrisindeki kendine güveninin bu adımı atılması kaçınılmazdır, bu nedenle bu makale, attığı adımı attığı mevcut yerli DRAM bellek endüstrisini de tanıtacaktır.
1. 1Z nanoteknolojisini ortaklaşa hedefliyoruz
BT evini sık sık fırçalayan arkadaşlar, bilgisayar sistemi yapısının hafızasının üç tip içerdiğini bilmelidir: önbellek, hafıza ve depolama.
Önbellek, çalışma hızı için en yüksek gereksinimlere sahip olmasına rağmen genellikle SRAM kullanır, ancak kapasite ve diğer gereksinimler uzun yıllardır pek değişmedi. Depolama, sabit sürücüler, U diskler vb. Dahil olmak üzere genellikle flash bellek dediğimiz şeyi ifade eder. Kapasite talebi çok hızlı artıyor ve depolama ortamı da değişiyor.
Resim: torange
Bu nedenle, yalnızca bellek DRAM pazarı şimdiye kadarki en istikrarlı ve en büyük pazar olmuştur.
DRAM pazarı söz konusu olduğunda, 50 yılı aşkın rekabet ve gelişmenin ardından, küresel DRAM pazarı şimdi bir oligopol oluşturdu.
Halka açık bilgilere göre 2018 yılında Samsung, SK Hynix ve Micron küresel DRAM pazarının sırasıyla% 46,% 29 ve% 21'ini oluştururken, üç şirket toplamın% 95'inden fazlasını oluşturdu.
LPDDR doğal olarak bu üç tedarikçiye dayanmaktadır.
İşlem açısından, bellek CPU gibi 5nm ve 3nm'ye doğru hareket etmiyor. Süreç 20 nm'ye girdikten sonra, bellek üretiminin zorluğu gittikçe arttı ve endüstri de bazı darboğazlarla karşılaştı. 10 nanometre düzeyinde, endüstri onu 3 nesil düğüme bölmüştür: 1Xnm (16-19nm), 1Ynm (14-16nm) ve 1Znm (12-14nm).
Örnek olarak şu anda en güçlü olan Samsung'u ele alalım. Aşağıdaki resim, resmi olarak Samsung tarafından verilen LPDDR belleğin seri üretim geçmişini göstermektedir:
Samsung'un Temmuz 2018'de 1Y nanometre işlemli LPDDR4X belleğin seri üretimine başladığı görülmektedir.
Daha sonra, Mart 2019'da zaten 1Z nano-proses DRAM geliştiriyorlardı ve 2019'un ikinci yarısında seri üretime başlamayı planlıyorlardı.
Bu teknolojik ilerleme, daha şimdiden Üç Büyükler arasında görece başı çekiyor.
LPDDR5 açısından Samsung, Temmuz 2018'de 8 Gb LPDDR5 bellek geliştirdi ve ardından 18 Temmuz 2019'da 1Y nanometre işlemi kullanarak ileri teknoloji akıllı telefonlar için 12 Gb LPDDR5 belleğin seri üretimine başladı.
IT House daha önce Samsung Galaxy S20'nin piyasaya sürülmesiyle ilgili haberi vermişti.Samsung'un 16Gb LPDDR5'i şimdiden tamamladığını görebiliyoruz.
Mi 10 serisinin LPDDR5 tedarikçilerinin hem Samsung hem de Micron'u içerdiğini biliyoruz. Ve Mi 10 serisi, önceden Micron'un LPDDR5'ini benimser. Aslında, Micron'un LPDDR süreci araştırma ve geliştirmedeki ilerlemesi nispeten pürüzsüzdür. Örneğin, bu sefer Mi 10'a teslim edilen LPDDR5 bellek de 1Y nanometre işlemi kullanıyor.
Ayrıca Micron, Ağustos 2019'da 1Z nanometre DRAM (16Gb DDR4) seri üretimine başladı ve ilgili ürünleri bu yılın ilerleyen aylarında piyasaya sürmeyi planlıyor.
Hynixin ilerlemesi biraz daha yavaş. Yalnızca Nisan 2019'da 1Y nanometre işlem belleği yongaları satacaklarını duyurdular. Bu yıl CES 2020'de yalnızca LPDDR5 prototip bellek çözümünü gösterdiler. Şu anda 1Znm proses 16Gb DDR4'ün seri üretimini artırmak için çok çalışıyorlar ve aktif olarak LPDDR5 gibi pazarlara açılıyorlar ve bu yıl da seri üretim yapmaları bekleniyor.
Genel olarak, 1Z nano süreci, endüstri devlerinin bir sonraki mücadele anahtarının odak noktasıdır ve sürpriz olmazsa, gerçek ürünleri bu yıl sonra göreceğiz. Elbette cep telefonlarına uygun LPDDR bellek olmayabilir.
2. Çin'in DRAM endüstrisi, 40 yıllık rüzgar ve yağmurun ardından, yetişme fırsatını yakalamak için
İlk olarak, bir dizi daha ihtiyatlı veriyi BT evi arkadaşlarınızla paylaşın.
IC Insights anket raporuna göre, 2016 yılında Çin'in yerel pazarı, yarı iletken ürünlerde 107 milyar ABD doları tüketti ve talep, küresel pazarın yaklaşık% 30'unu oluşturuyordu.
Everbright Securities tarafından hazırlanan "2017'de Çin'in Entegre Devre Endüstrisinin Analizi" raporunda verilen Çin'in çekirdek entegre devrelerinin kendi kendine yeterlilik oranı verilerine göre DRAM'in kendi kendine yeterlilik oranı% 0'dır. Temelde tamamen ithalata bağımlıdır.
Elbette bunlar 2016 ve 2017 verileridir. Geçtiğimiz birkaç yılda, yerli DRAM endüstrisi de aşağıda bahsedeceğimiz gibi sevindirici bir ilerleme kaydetmiştir.
Xi Yuan, küresel DRAM endüstri yapısını şimdi tanıttı ve hepinizin temel durumu anladığınıza inanıyorum.
Öyleyse böyle bir oligopol durumunda, Çin'in DRAM depolama endüstrisinin durumu kırma şansı var mı? Şu an neredeyiz?
Sonra, Xi Yuan sizinle Çin'in DRAM endüstrisinin gelişimi hakkında konuşabilir.
Bundan bahsetmişken, Çin'in DRAM endüstrisinin gelişimi aslında çok geç değil. 40 yılı aşkın bir gelişme geçmişine sahip.Sadece teknoloji, pazar ve endüstriyel zincir gibi faktörlerden etkileniyor ve gerçekten olgun bir endüstriyel sisteme dönüşmedi.
Wang Yangyuan ve diğerleri tarafından yönetilen Pekin Üniversitesi Fizik Bölümü yarı iletken araştırma grubu 1975 yılında 109 fabrikasında silikon geçit N-kanal teknolojisini kullanarak Çin'deki ilk 1K DRAM'i üretti.
1978'de Çin Bilimler Akademisi Yarı İletkenler Enstitüsü, 4K DRAM'i başarıyla geliştirdi; ardından 1981'de 16K DRAM'i başarıyla geliştirdi.
1986'dan 1989'a kadar, Çin Bilimler Akademisi'nin 742 fabrikası ile Yongchuan Semiconductor Enstitüsü'nün Wuxi şubesinin birleşmesiyle oluşan Huajing Electronics Group, 2.5 mikronluk bir işlem kullanarak Çin'deki ilk 64k DRAM'i başarıyla geliştirdi.
1990'larda, Çin'in DRAM endüstrisi erken pazar araştırmalarını denemeye başladı.
Bunlar arasında Wuxi Huajing Electronics, Danıştay'ın Sekizinci Beş Yıllık Planında (1990-1995) 1.5 milyar yuan desteğiyle aylık 12.0006 inçlik gofret fabrikası kapasitesi oluşturdu ve 1993'te ilk kez 256K DRAM'i başarıyla geliştirdi.
Huajing Microelectronics'in öncülü, Wuxi 742 Fabrikası
1995 ve 1999'da, Shougang NEC ve Hua Hong NEC, sırasıyla 4M DRAM ve 64M DRAM bellek yongalarını piyasaya sürdü, özellikle sonuncusu 0.35 mikronluk bir işlem kullanarak, o sırada endüstrinin ana akım seviyesine ulaştı.
Hem Shougang NEC hem de Hua Hong NEC, BT devi Japon NEC'in yatırım geçmişine sahiptir. Örneğin, Hua Hong NEC, Şangay Belediye Hükümeti tarafından 500 milyon ABD Doları ile kurulan Hua Hong Mikroelektronik tarafından ortaklaşa kuruldu ve Japonya'nın NEC ve Japonya NEC 200 milyon ABD Doları yatırım yaptı.
Benzer keşifler 21. yüzyılın ilk on yılı civarında sürdü ve bu dönem esas olarak hükümet desteği, bağımsız araştırma ve geliştirme + teknoloji tanıtımı ile karakterize edildi.
Bu dönemdeki keşif, temelde teknoloji, ekipman blokajı ve denizaşırı kooperatif üreticilerinin düşüşü gibi faktörler nedeniyle sonuçta çok başarılı olmadı, ancak bunlar aynı zamanda Çin'in DRAM endüstrisi için değerli deneyim ve yetenek tabanı biriktirdi.
2010'dan sonra, Çin'in DRAM endüstrisi yeni bir gelişme durumuna ulaştı.
Bu dönemde yurt dışı birleşme ve satın almalar ana özellik haline geldi. İşte iki önemli birleşme ve satın almanın örnekleri: Qimonda'nın 2015 yılında Ziguang tarafından satın alınması ve ISSI'nin Çin Anakarası tarafından satın alınması.
İlkinden bahsedeyim. Qimonda'nın öncülü, 2003 yılında Çin'in Xi'an kentinde Alman Infineon Technology tarafından kurulan bellek bölümüydü ve daha sonra bağımsız olarak Qimonda Technology oldu. Bu nedenle Alman.
Ancak, Qimonda Teknolojisi daha sonra geliştirilmesinde zorluklarla karşılaştı ve 2009'da iflas etti. Aynı yıl Inspur Group tarafından satın alındı ve Xi'an Huaxin Semiconductor Co., Ltd. olarak yeniden adlandırıldı.
Daha sonra, 2015 yılında Ziguang Group'un bir yan kuruluşu olan Ziguang Guoxin Co., Ltd., Xi'an Huaxin Semiconductor'ı (Qimonda olarak da bilinir) satın aldı ve satın alınan şirketin adı Xi'an Ziguang Guoxin Semiconductor Co., Ltd. oldu.
Bu satın alma, yerel DRAM yonga tasarımındaki boşluğu dolduruyor. Tsinghua Unigroup, 2017 yılında DDR4 bellek yongalarının ve modüllerinin tasarımını ve geliştirmesini zaten gerçekleştiriyordu ve IT Home da o sırada ilgili raporlar hazırladı.
Ancak, Tsinghua Unigroupun iş odağı DRAM değil. O zamanlar söylendiği halde 2019 yılına kadar fiilen harekete geçmemiş gibi görünüyor.
İkincisi, ISSI'nin Continental Capital tarafından satın alınmasıdır. ISSI 1988 yılında kurulmuş bir Amerikan şirketidir. Esas olarak otomotiv, endüstriyel, medikal, tüketici elektroniği ve diğer profesyonel alanlarda kullanılan yüksek hızlı, düşük güçlü SRAM, orta / düşük yoğunluklu DRAM, NOR flash bellek ürünlerini tasarlama ve geliştirmede iyidir.
ISSI, Aralık 2015'te Nasdaq'tan çıkarıldı ve Wu Yuefeng Capital liderliğindeki Çin sermaye konsorsiyumu ISSI'nin özelleştirilmesini tamamladı. Özelleştirme kuruluşu Beijing Sicheng'di. Özelleştirme süreci Amerika Birleşik Devletleri'nin Cypress'i tarafından engellendi. Daha sonra Beijing Sicheng, neredeyse Zhaoyi Innovation ve Siyuan Electric tarafından satın alındı ve sonunda büyük harf kullanımı gerçekleştirmek için Beijing Junzheng olarak indi. Tüm süreç kıvrımlıydı.
Genel olarak, ISSI'nin satın alınması, denizaşırı DRAM üreticilerinin Çin'in depolama endüstrisine ilk kez entegre olduğu anlamına geliyor.
Bununla birlikte, bu iki önemli satın alma, yerel DRAM depolama pazarına, tasarımdan üretime, paketlemeye ve teste kadar sistematik yetenekleri (IDM) değil, yongaları tasarlama yeteneğini getirdi.
2014'ten günümüze, Çin'in depolama endüstrisi gerçekten IDM dönemine doğru ilerlemeye başladı.
Halihazırda yerel DRAM pazarındaki ana oyuncular arasında Ziguang Guoxin, Fujian Jinhua, Hefei Changxin ve Yangtze River Storage bulunmaktadır. Bunların arasında Hefei Changxin şu anda daha umut verici.
Çin'in yarı iletken bellek endüstrisine yaptığı yoğun yatırım son yıllarda karşılığını verdiğinden, Çin'in yerleşik bellek şirketleri seri üretime ulaşırsa, endüstri devleri için büyük bir tehdit oluşturacaktır. Daha önce de söylediğimiz gibi, küresel yarı iletken talebinin yaklaşık üçte biri Çin'den geliyor Çin kendi kendine yetebiliyorsa, bu devler nasıl iş yapabilir?
ABD depolama devi Micron, 2016'dan beri Tayvan'da UMC'ye ve Çin anakarasında Fujian Jinhua'ya karşı art arda davalar başlattı. Davaların nedenleri fikri mülkiyet haklarının ihlalinden başka bir şey değil, ancak bu davalar ya sonuçsuzdu ya da ABD Federal Mahkemesi tarafından reddedildi. İşte bir cümle, Tayvan UMC ve Fujian Jinhua daha önce bir işbirliği ilişkisi kurmuştu.
Fotoğraf: Fujian Jinhua resmi web sitesi
Bu dava ihtilafları yalnızca başlangıçtır.
Son olarak, 30 Ekim 2018'de ABD Ticaret Bakanlığı, ABD Endüstriyel Güvenlik Bürosu'nun Fujian Jinhua'yı kuruluşlar listesine eklemeye yönelik BIS kararının uygulandığını doğrulayan bir duyuru yayınladı ve tüm ABD şirketlerinin Fujian Jinhua'dan özel muafiyet için başvuruda bulunmayacağını şart koştu. Hua, tüm yazılım ve ekipman ve teknik hizmetleri satmaktadır.
Bu yasak, şüphesiz, yeni gelişen yerli DRAM depolama pazarını yeniden pus haline getirdi.
Fujian Jinhua, Çin'in "13. Beş Yıllık" entegre devre üretim planlamasında önemli bir şirket olarak, ikinci ZTE oldu. 2018 sonunda orijinal DRAM seri üretim planı da rafa kaldırıldı ve mevcut ilerleme tatmin edici değil.
Aynı zamanda, sektör, Çin'deki bir diğer önemli DRAM üreticisi olan Hefei Changxin Storage'ın bir sonraki kilitlenecek şirket olup olmayacağı konusunda da endişeli.
Hefei Changxin Storage Technology Co., Ltd., Hefei Belediyesi'ne bağlı bir yatırım platformu olan Hefei Industrial Investment ve Çin'de bellek bölümleme alanında lider bir şirket olan Zhaoyi Innovation tarafından Mayıs 2016'da kurulmuş olup, aynı zamanda Anhui Eyaletindeki en büyük tek yatırımlı endüstriyel projedir.
Aslında, 2017'de Micron, Tayvan Huayake'den Hefei Changxin'e taşınan ve Micron'un Hefei Changxin ile "ilgilendiğini" göstermek için baskı yapmak isteyen yüzlerce çalışana mevduat mektupları gönderdi.
Fotoğraf: Hefei Changxin resmi web sitesi
Aniden, sektörde spekülasyonlar ortaya çıktı ve farklı görüşler ortaya çıktı.Herkesin tartıştığı kilit noktalardan biri, Hefei Changxin'in teknolojisinin nereden geldiğiydi?
BT evi arkadaşlarının da bunun önemini anladığına inanıyorum. Her şeyden önce, kullandığımız teknolojinin insanları sorunları ayırt edememesini sağlamalıyız.
Son olarak, Mayıs 2019'da Hefei Changxin, DRAM teknolojisinin Alman Qimonda Semiconductor'a dayandığını açıkladı.
Doğru, on yıl önce iflas eden daha önce bahsettiğimiz Qimonda'dır.
Qimonda iflas ilan etmeden önce, DRAM'in temel istifleme teknolojisi olan Buried Wordline'ı (Buried Wordline) başarıyla geliştirdi ve laboratuvar araştırma ve geliştirme 46nm sürecine ulaştı, ancak daha önceki sapmalar nedeniyle Fonlar sürdürülemezdi, bu yüzden iflas ettiler.
Kaynak: China Flash Memory Market Summit, Changxin Storage'ın konuşma oturumu
Qimonda iflas etse de, teknolojileri hala oldukça gelişmiştir ve Hefei Changxin Storage dahil olmak üzere birçok yarı iletken şirkete "fayda" sağlamıştır. Qimonda ile işbirliği yaparak, DRAM ve 2,8 TB veri ile ilgili 10 milyondan fazla teknik belge elde ettiler.
Bu teknik veriler, Hefei Changxin'in daha fazla yenilik yapması ve geliştirmesi için temel oluşturur ve Çin'in DRAM'ı yangına devam edebilir.
Kaynak: China Flash Memory Market Summit, Changxin Storage'ın konuşma oturumu
Şu anda, Hefei Changxin, yukarıda bahsedilen 1Xnm süreci olan 2019'un sonunda Çin'de 19nm 8Gb LPDDR4 belleğin ilk partisinin seri üretimine başladı.
Bu, Çin'deki ilk ve tek DRAM üreticisi oldukları anlamına geliyor, başka bir deyişle, Çin'in DRAM kendi kendine yeterlilik oranında bir atılım gerçekleştirmenin ilk adımı olabilirler.
Ayrıca Hefei Changxin 8Gb DDR4 bellek de 2019'un sonunda teslim edilecek. Aynı zamanda Hefei Changxin, 2021'de 17nm işlem DRAM yongalarını toplu olarak üretmeyi planlıyor.
Kaynak: Hefei Changxin DRAM teknolojisi yol haritası
Bunlar şüphesiz DRAM depolama yerelleştirme umudunu sıfırdan bire taşıyor.
Daha heyecan verici olan ise, Hefei Changxin'in 20 nanometrenin altındaki süreçleri kullanan dünyanın dördüncü DRAM ürünleri üreticisi olması.
Ziguang Guoxin'e gelince, DDR4 belleğin küçük ölçekli seri üretimi 2018'de gerçekleştirildi, ancak yalnızca 2019'da bağımsız DRAM alanına girdi ve bir DRAM iş grubu kurdu. 2021'de seri üretimin başlaması bekleniyor ve ilerleme daha yavaş olacak.
Ziguang Group bünyesindeki Yangtze River Storage, her zaman 3D NAND Flash flash belleğe odaklanmıştır.Ancak, Ziguang ile birlikte DRAM geliştirdikleri ve iki güç merkeziyle işbirliği yaptıkları için, ilerlemeyi hızla yakalayabileceklerine inanıyorum.
Genel olarak, Hefei Changxin'in şu anda yerel DRAM depolaması için tek umut olduğunu söylemek abartı olmaz. Bu kötü bir haber değil, hala yetişme umudumuz olduğunu gösteriyor.
3. Özet: İlerleyin ve ona uygun yaşayın, şefkatli bir insan
Yalnızca DRAM bellek perspektifinden bakıldığında, Çinli şirketler teknoloji ve endüstri zinciri açısından dünyanın en iyi üreticilerinden uzaktır ve ürünlerin kendi kendine yeterlilik oranı daha da iyimser değildir.
Bununla birlikte, cesaretimizin kırılmasına gerek yok, Samsung, Hynix ve Micron dışında küresel DRAM depolama pazarına bakıldığında, teknik olarak Çin'in hala belli bir liderliği var.Bu çok önemli.
Çinin tüketici elektroniği endüstrisi ortamı olgunlaştı, yarı iletken talebi çok büyük ve Çin ekonomisi de yüksek katma değerli bir endüstriyel yapıya doğru dönüşüyor. Çin-ABD ticaret sürtüşmelerinin getirdiği teknolojik abluka, yarı iletken endüstrisinin yerelleşmesini benzeri görülmemiş bir düzey haline getirdi. yükseklik.
Aynı zamanda, IC Insights raporuna göre, küresel yarı iletken endüstrisi Amerika Birleşik Devletleri'nden Japonya'ya, ardından Güney Kore, Tayvan ve oradan da Çin anakarasına kayıyor.
Zamanın ışığında Çin, yarı iletken endüstrisinin yerelleştirilmesi için iyi bir zamanda ve kritik bir andır.
Örnek olarak DRAM depolama endüstrisini ele alın. Çin 40 yılı aşkın bir süredir keşifler yaşadı. Yol mavi ve işler kasvetli. Pek çok insan içeri giriyor ve birçok insan ayrılıyor. Değerli yetenekler ve teknolojik birikim karşılığında sayısız ders, hayal kırıklığı, hoşgörü ve gizlenme yaşadılar ve tutabilirler Endüstri devlerini yakalamak için "Tinder".
Daha sonra, kurumsal bağımsız inovasyonun gücünü daha da artırmalıyız + ulusal irade, IDM geliştirme modelini desteklemeli, güçlendirmeli, tüm endüstri zincirinin düzenini gerçekleştirmeli, teknoloji ve patentlerin orijinalliğine büyük önem vermeli ve devlerin müdahalesini ve engellemesini önlemeliyiz.
Ancak bunu yaparak, fırsatların ve risklerin bir arada var olduğu endüstriyel bir ortamda ilerlemeye devam edebilir ve yarı iletken endüstrisindeki bağımsızlık hedefimize ulaşabiliriz.
referans
- DeepTech, 2019-05-16, "10 yıl önce iflas eden bir çip fabrikası, yerel depolama endüstrisinin ihlal endişelerinden kurtulmasına izin verdi mi? ".
- Yarıiletken Endüstrisi Gözlemi, 2020-02-10, "Depolama, Jianghu".
- Semiconductor Industry Observation, 2019-07-02, "Micron'un DRAM Yol Haritasının Derinlemesine Yorumlanması."
- ESM International Electronics Business Information, 2020-02-11, "LPDDR58GB büyük miktarlarda çıkar ve üç orijinal üretici üretim kapasitesi için hazırlanmaya hazır."
- Electronic Information Industry Network, 2020-02-12, "Micron'un ilk LPDDR5 yongası Xiaomi 10 cep telefonlarına uygulanacak".
- Guotai Junan Securities, 2019-05-29, "DRAM: Çinli Oyuncuların 5 Numaralı Çip Yerelleştirme Özel Raporuna Girmesi İçin Endüstriyel Yapı Yetiştirme Fırsatlarındaki Değişiklikler".
- Everbright Securities, 2018-01-09, "Semiconductors: The Time for China's Rise".
- Y&F, 2020-01-15, "Çin'in depolama teknolojisi büyük bir atılım gerçekleştirdi, küresel depolama pazarı değişecek mi? ".
- Caijing Wuji, 2018-11-16, "Başlangıç: Fujian Jinhua neden ABD tarafından yasaklandı".
- Bilim ve Teknoloji Endüstrisinin Mikro Gözlemi, 2019-10-05, "Depolama Yongası Endüstrisinin Gelişiminin Derinlemesine Yorumlanması".
