NVMe ile karşılaştırılabilir ultra yüksek hızlı iletim deneyimi UFS3.0
5G döneminin gelişiyle birlikte, artan ağ hızı cep telefonları üzerinde de büyük bir baskı oluşturacak.UFS2.1 gibi standartların ortaya çıkması, cep telefonu veri iletiminin iyi bir seviyeye ulaşmasına izin verdi, ancak daha yüksek, daha hızlı ve daha güçlü oldu. İnsanoğlunun aralıksız arayışı, şimdi cep telefonlarının flash belleği 3.0 çağını başlatacak. İnternetteki bazı medyalar, UFS 3.0 flash belleğin AndroBench çalışan skoruyla ilgili haberi vermedi. Koşu skoru, sıralı okuma hızının 2279,9 MB / sn'ye ve sıralı yazma hızına ulaştığını gösterdi. 1801,1 MB / sn'de 4K performansı, okuma ve yazma için neredeyse 40.000 IOPS'dir Bu performans artık güçlü değil, mevcut yüksek kaliteli NVMe katı hal hızına ulaşan sağlam bir düzeydir.
Yeni UFS3.0 standardı, 2017 yılında JEDEC Katı Hal Teknoloji Derneği tarafından piyasaya sürüldü. Önceki nesil UFS2.1 ile karşılaştırıldığında, sadece daha yüksek bir bant genişliğine sahip olmakla kalmıyor, aynı zamanda UFS 2.1'den daha düşük bir gerilime de sahip. UFS 3.0'ın çalışma voltajı 2,5V. Önceki nesil 2.7V'den 3.6V'a daha düşüktür ve düşük voltaj, düşük ısı üretimi ve düşük güç tüketimini beraberinde getirir ve bu da cep telefonu gibi cihazlar için çok önemli bir gelişme olan cihazın kullanım süresini daha da uzatabilir.
Hız açısından UFS 3.0 standart tek kanal, UFS 2.1 standardının iki katı olan 11.6 Gbps'ye ulaşabilir ve çift kanallı tasarım 23.2 Gbps'ye kadar iletim bant genişliğine ulaşabilir.Bu sefer gösterilen test sonuçları UFS3.0 çift kanal olmalıdır. Sürüm çalışma noktaları.
Samsung daha önce 2019'un ilk yarısında UFS 3.0 ticari ürünlerini piyasaya süreceğini açıklamıştı. Şimdi test sonuçları da çıktı, yakında piyasaya çıkacağına inanıyorum ancak test edilen UFS3.0 flash belleğin 1T seviyesinde olduğu unutulmamalıdır. Günümüz flash bellek alanında kapasite ne kadar büyükse hız o kadar hızlı ama destekleyecek kadar güçlü bir performansla 100G seviyesinin iletim deneyiminin fena olmayacağına inanıyorum.
