Samsung çip dökümhanesi 6nm, 5nm ve 4nm'yi arka arkaya ortaya çıkarmayı planlıyor
Geçen yılın Ekim ayında, Samsung'un yonga fabrikası, yonga üretmek için 7LPP (7nm düşük güç tüketimi +) üretim sürecini resmi olarak kullanmaya başladı ve o zamandan beri üretim teknolojisi gelişimini yavaşlatmadı. Şirketin, 2019'un ikinci yarısında rafine edilmiş 6LPP (6nm Düşük Güç Tüketimi +) teknolojisini kullanarak seri cips üretimine başlaması bekleniyor. Buna ek olarak, şirket ilk 5LPE (5nm düşük güç erken aşama) SoC'sini piyasaya süreceğini ve 4LPE (4nm düşük güç erken aşama) proses geliştirmesini önümüzdeki birkaç ay içinde tamamlayacağını söyledi.
DRAM ve NAND fiyatlarındaki düşüş nedeniyle, Samsungun yarı iletken işinin toplam geliri ikinci çeyrekte 16.09 trilyon won'a (14.302 milyar ABD Doları) düşerken, işletme karı 3.4 trilyon won (2.877 milyar ABD $) oldu. Samsung'un bellek işi zayıf olsa da şirket, dökümhane işinin güçlü bir performans gösterdiğini söyledi. Samsung'a göre, fason üretim bölümünün 10LPP / 8LPP teknolojisi kullanılarak üretilen mobil SoC'lere ve 14LPx / 10LPP teknolojisi kullanılarak üretilen mobil, HPC, otomotiv ve ağ ürünlerine yönelik güçlü talebi var. Genel olarak, Samsung'un çip fabrikası, çok sayıda yüksek kaliteli ürün üretmek için önde gelen FinFET proses teknolojisini kullanır.
Bu yılın ilerleyen günlerinde Samsung, daha önce yol haritasına dönen 6LPP proses teknolojisini kullanarak çip üretmeye başlayacak. Samsungun 6LPP'si, daha yüksek transistör yoğunluğu (yoğunlukta% 10 artış), daha düşük güç tüketimi sağlayan Samsungun 7LPPnin geliştirilmiş bir sürümüdür ve ayrıca 6LPP, yeni IP geliştirmek isteyen müşteriler için akıllı yapı desteği sağlar. Samsung'un 7LPP üretim teknolojisi geliştirmesindeki bir sonraki adım, 5LPE üretim süreci olacak. 6LPP ile karşılaştırıldığında bu, güç tüketimi, performans ve alan açısından daha fazla fayda sağlıyor.Samsung'un 5LPE teknolojisini kullanarak ilk yongaları bu yılın ikinci yarısında piyasaya sürmesi ve 2020'nin ilk yarısında seri üretimin olması bekleniyor.
