Intelin dünyanın ilk 10 nanometre teknolojisi ve Samsungu olumlu yönde etkileyen TSMC
Intel, yeni teknolojisini tanıtmak için özel olarak bir "hassas üretim günü" kurdu ve Samsung ve TSMC rakiplerine olumlu bir şekilde saldırdı.
Eser sahibi: 308
Moore Yasası başarısız mı?
Bu, son yıllarda defalarca dile getirilen bir sorundur. Moore Yasası 1965'te önerildiği günden bu yana yarı iletken proses teknolojisinin sürekli iyileştirilmesi yönünde ilerliyor, ancak 10 nanometre döneminde sektördeki birçok insan Moore Yasasının ilgili fiziksel sınıra yaklaştığına ve etkinliğini kaybedeceğine inanıyor. .
Ancak, 19 Eylül'de düzenlenen "Intel Hassas Üretim Günü" nde, yarı iletken endüstrisindeki bu lider yukarıdaki sorulara kendi cevaplarını verdi.
Intel: Moore Yasası geçerliliğini yitirmeyecek
Toplantıda Intel Yönetim Kurulu Başkan Yardımcısı ve Üretim, Operasyonlar ve Satış Grubu Başkanı Stacy Smith Moore Yasasının önemini vurguladı. Moore'un kendi gözlemine göre bir çip üzerindeki transistör sayısının her 24 ayda bir ikiye katlanacağını, yani yarı iletken endüstrisindeki ürünlerin performansının her iki yılda bir ikiye katlandığını ve her transistörün maliyetinin de değerle azaldığını söyledi. Ancak Intel, Moore Yasasının aslında böyle bir ekonomik ilkeyi yansıttığına inanıyor:
Yarı iletken üretim yeteneklerinin belirli bir hızda geliştirilmesini teşvik ederek, bilgi işleme dayalı herhangi bir iş modelinin maliyetini düşürebiliriz.
Smith, şu anda endüstrinin yarı iletken endüstrisinin proses gelişimini ölçmek için sıklıkla 16nm, 14nm, 10nm ve diğer proses düğüm numaralarını kullandığını söyledi.Bu rakamların gerçek fiziksel anlamı vardı, ancak şimdi durum böyle değil. Aslında, Smith başka bir performans ölçüsü verdi: transistör yoğunluğu.
Bu nedenle, işlem teknolojisinin ilerlemesini teşvik ederken transistörlerin yoğunluğunu artırmak için Intel, 14nm işleminde FinFET ve Hyper Sacling teknolojisini benimsemiştir.Bunlardan ultra ölçeklendirme teknolojisi 14nm ve 10nm yapabilir Nanometre üzerindeki gofret alanı 0,5 kattan fazla azaltıldı.
Smith, pazardaki rakiplerin avantajlarını vurgulamak için 14nm, 10nm ve diğer işlem düğüm numaralarını kullandıkları gerçeğine yanıt olarak, küçümsediğini de ifade etti. Rakam değişse de FinFET teknolojisindeki rakiplerin ürünlerinin transistör yoğunluğunun artmadığını, aslında Samsung ve TSMCnin 10nm işlem teknolojisinin transistör yoğunluğunun Intelin 14nm işlemine eşdeğer olduğunu söyledi. Ve eski, Intel'den üç yıl sonra piyasaya sürüldü.
14 nanometre sürecine ek olarak, Intel'in 10 nanometre teknolojisi de seri üretilecek ve ultra minyatür teknolojisi de kullanılacak. Smith ayrıca Intel'in aslında genel olarak üç nesil süreci dört gözle beklediğini ve şu anda 7nm ve 5nm süreçlerini araştırdığını söyledi.
Smith nihayet Moore Yasasının öngörülebilir bir gelecekte sona ermeyeceğini vurguladı.
10 nanometrelik gofretlerin dünya prömiyeri, seri üretim yakında yapılacak
Bu "Intel Hassas Üretim Günü" nde Intel, dünyanın ilk 10 nanometre Cannon Lake gofretini sergiledi. Intel'in kıdemli akademisyeni ve Teknoloji ve Üretim Bölümü'nün süreç mimarisi ve entegrasyonu direktörü olan Mark Bohr sahneye çıktı ve Moore Yasası ve 10 nanometre levhalara ek bir giriş yaptı.
Bohr ilk önce transistör yoğunluğunu hesaplamak için daha nicel bir formül önerdi:
Bu formül iki mantık kavramı kullanır; biri NAND birimi ve diğeri tarama flip-flop mantık birimi. NAND2 transistörlerinin sayısını NAND2 hücrelerinin alanına, yani NAND yoğunluğuna bölün; yoğunluğunu elde etmek için taramalı flip-flop transistörlerinin sayısını taranan flip-flop hücrelerinin alanına bölün; ilki 0,6 faktör ile çarpılır, ikincisi 0,4 faktörü ile çarpılır ve toplam Milimetre kare başına düşen transistör sayısı transistör yoğunluğudur.
Bohr, bu yöntem kullanılarak hesaplanırsa, 10 nanometrede transistör yoğunluğundaki artışın çok açık olduğunu, kendi 14 nanometre teknolojisinin 2,7 katı ve endüstrideki diğer "10 nanometre" işlemlerinin yaklaşık iki katı olduğunu söyledi. Ve bu gelişme Intel'in ultra minyatür teknolojisinden kaynaklanıyor. Aslında, Intelin 10 nanometre işleminin minimum geçit aralığı 70 nanometreden 54 nanometreye ve minimum metal aralığı 52 nanometreden 36 nanometreye düşürülmüştür. Küçülen boyut, mantık transistör yoğunluğunun milimetre kare başına 100,8 milyon transistöre ulaşmasını sağlar.
Önceki 14 nanometre işlemiyle karşılaştırıldığında, Intelin 10 nanometre işlemi performansı% 25'e kadar artırır ve güç tüketimini% 45 oranında azaltır. Geliştirilmiş 10nm işlemi, performansı% 15 daha artırabilir veya güç tüketimini% 30 daha azaltabilir.
Bohr ayrıca Moore Yasasının amacının transistörlerin yoğunluğunu sağlamak ve her neslin nesiller arası iyileştirilmesi yoluyla maliyetleri düşürmek ve böylece her transistörün ortalama maliyetini düşürmek olduğunu söyledi. Intel 10 nanometre çip teknolojisinin ortaya çıkışı, sadece Moore Yasasının modası geçmiş olmadığını ve ilerlemeye devam ettiğini gösteriyor.
Aslında Intel ayrıca dökümhane işine de sahiptir
En son yonga teknolojisinin sürekli keşfine ek olarak, Intel aslında birkaç yıl önce kendi dökümhane işini başlattı ve şimdi Çin pazarına girdi ve bu "Intel Hassas Üretim Günü" nde dökümhaneden sorumlu. Intel Teknoloji ve Endüstriyel İşletme Üretim Bölümü başkan yardımcısı Zane Ball da dökümhane işini tanıttı.
Ball, Intel'in döküm avantajının teknolojide yattığını söyledi. Bu birincisi, Intel'in FinFET teknolojisinde bu teknolojiyi kullanarak 7 milyon wafer ürettiği anlamına gelir; bunu 22nm, 14nm, 10nm ve 22FFL işlem teknolojileri takip eder.
Bunlar arasında Ball, Intel'in 22FFL (22nm FinFET Low Power) teknolojisini vurguladı. Leifeng.com'a göre, 22FFL, Mart 2017'de Amerika Birleşik Devletleri'nde düzenlenen "Intel Precision Manufacturing Day" etkinliğinde ilk kez açıklanan mobil uygulamalar için ultra düşük güçlü bir FinFET teknolojisidir. Teknoloji Intelin 22nm / 14nm teknolojisine dayanmaktadır. Üretim tecrübesi.
Önceki 22GP (genel amaçlı) ile karşılaştırıldığında, 22FFL teknolojisi kaçak gücü 100 kata kadar azaltabilir ve ana akım teknolojiler arasında en düşük sızıntı gücüne sahip transistörler sağlayabilir. Aynı zamanda Intel 14nm transistörlerle aynı sürücü akımına ulaşarak, endüstrinin 28nm / 22nm düzlemsel teknolojisinden daha yüksek bir alan azaltımı sağlayabilir.
22FFL'nin diğer bir teknik özelliği yüksek entegrasyondur; tam bir radyo frekansı (RF) paketi içerir. Tek desen oluşturma ve basitleştirilmiş tasarım kurallarının kapsamlı kullanımı sayesinde 22FFL, çeşitli ürünler için makul bir fiyat, kullanımı kolay tasarım platformu haline gelir ve endüstrinin 28 nanometrelik düzlemsel süreci (Düzlemsel) ile çok uygun maliyetli .
Nispeten konuşursak, yeni 22FFL teknolojisi, performansı, güç tüketimini, yoğunluğu ve tasarımı kolay özellikleri birleştiren düşük güçlü IoT ve mobil ürünler için uygundur. Intel Başkan Yardımcısı Stacy Smith ayrıca 22FFL için şunları söyledi:
Bunun sektörün en basit ve kullanımı kolay FinFET süreci, halka hizmet eden bir FinFET olduğunu düşünüyoruz.
Yukarıdaki teknik avantajlara dayanarak, Intelin dökümhane işi temelde iki pazara ayrılmıştır: biri ağ işlemcileri ve FPGA'lar gibi ağ altyapısı, diğeri ise mobil ve ağa bağlı cihazlar, özellikle giriş düzeyi akıllı telefon işlemcileri. Ve IoT cihazları.
Dökümhane işi olarak Intel ve ARM, ARM Cortex A75'i Intel'in standart dökümhane sürecine sokmak için işbirliği yaptı. Tüm süreç ARM tarafından IP ile sağlandı ve ilk bandı tamamlamak 14 hafta sürdü. Bu işlem Intel'in 10nm dökümhane teknolojisini kullanır ve algılama frekansı en az 3,3 GHz'yi aşabilir ve görüntülenen verilere göre çok kararlı görünüyor.
Olay yerinde Intel ayrıca, Intel 10nm sürecini kullanan dünyanın ilk ARM Cortex-A75 CPU çekirdek test çipini göstermek için ARM ile işbirliği yaptı.
Kaplan konuşmuyor, bana hasta bir kedi gibi davranıyorsun
Geçmişte, Intel insanlara teknolojiye odaklandığı ve çok düşük anahtar olduğu izlenimini verdi; ancak bu kez Intel, yeni teknolojisini tanıtmak için sözde bir "hassas üretim günü" kurdu ve Samsung ve TSMC gibi rakipleri şaşkına çevirdi. Yanıt olarak Intel Çin Başkanı Yang Xu, "Kaplan konuşmuyor, bana hasta bir kedi gibi davranıyorsunuz" diye yanıt verdi.
Ancak, aslında, bu "hassas üretim gününün" odak noktası, aslında Intel'in özellikle Çin pazarı için dökümhane işi. Bununla birlikte, Leifeng.com Intel'in bu kadar yüksek profilli olmasının sebebinin aslında Çin'in yarı iletken endüstrisinin güçlü gelişimini görmesi olduğuna inanıyor. Çin'de gerçekleşen küresel yarı iletken tüketiminin% 58,5'i ile Intel, dökümhane işi aracılığıyla doğal olarak bundan pay almayı umuyor. Bununla birlikte, mevcut bakış açısına göre, dökümhane işi Intel'in genel işinin sadece küçük bir parçasıdır.
"Moore Yasasının geçersiz olup olmadığı" sorusuna gelince, Intel de adını düzeltmek için nadiren yüksek profilli bir duruş sergiledi ve 10 nanometre işlem teknolojisi ve diğer ileri teknolojiler aracılığıyla uzun vadeli etkinliğini göstermeye çalıştı.
Leifeng.com'un görüşüne göre, "Moore Yasası'nın en azından şimdilik güncelliğini yitirdiğini" söylemek için henüz çok erken ve ayrıca çeşitli en yeni teknolojilerin ilerlemesi altında yarı iletken endüstrisinin devam eden gelişimini dört gözle bekliyoruz.
Leifeng.com'dan orijinal makalelerin izinsiz çoğaltılmasına izin verilmez. Web sitesinin yeniden yazdırılmasına başvurmak için lütfen Leifeng web sitesinin resmi web sitesine gidin. Ama tartışmaya hoş geldiniz ~
