Çinli bilim adamları, grafenin 1000 katı iletkenliğe sahip yeni bir ultra yüksek iletken malzeme türü geliştirdiler.
19 Mart'ta CCTV haber müşteri haberleri, malzeme alanındaki en iyi uluslararası dergi "Nature · Materials", Fudan Üniversitesi'nden Xiu Faxian ekibinin son araştırma makalesini yayınladı "Super Yüksek iletkenlik ", iki boyutlu sistemde bilinen en yüksek iletkenliğe sahip Weyl yarı metalik malzeme-niyobyum arsenit nanobelt olarak hazırlandı.
İletken malzemeler elektronik endüstrisinin temelini oluşturur En önemli malzeme, transistörler için büyük ölçekli ara bağlantı tellerinde kullanılan bakırdır. Bilgi çağında bilgisayarlar ve akıllı cihazlar gittikçe küçüldü ve sinyal iletim miktarı patladı.Çipteki on milyonlarca saç inceliğinde transistör ara bağlantı telinin "taşıma basıncı" da arttı. Bakır çok ince hale gelip iki boyutlu ölçeğe girdiğinde, direnç büyür, iletkenlik hızla bozulur ve güç tüketimi büyük ölçüde artar. Bu aynı zamanda yongalar gibi entegre devre teknolojilerinin daha da geliştirilmesini kısıtlayan önemli bir darboğazdır. Xiu Faxianın ekibi tarafından yeni geliştirilen niyobyum arsenit nanoribbon malzeme, bakır filmlerden yüz kat ve grafenden bin kat daha fazla iletkenliğe sahip.
Fudan Üniversitesi Fizik Bölümü Profesörü Xiu Faxian: Niyobyum klorür, arsenik ve hidrojen kullanıyoruz ve bu niyobyum arsenit nanoribonlarını hazırlamak için bunları kimyasal reaksiyon için bir araya getiriyoruz.Bu malzemenin yüzeyinde elektronlara izin veren bir yüzey durumu var. Hızla geçersek, yeşil bir kanal oluşturduğumuz söylenebilir, bu sayede düşük boyutlu bir ölçekte elektronlar hızla geçip enerji tüketimini azaltabilir.
Aynı zamanda, sıfırın altındaki onlarca derecenin altındaki ultra düşük sıcaklıklarda kullanılabilen süper iletken malzemelerin aksine, yeni malzeme niyobyum arsenidin yüksek iletkenlik mekanizması oda sıcaklığında bile hala etkilidir. Bu keşif aynı zamanda malzeme biliminin yüksek performanslı iletkenler bulması için uygun bir fikir sağlar ve elektronik cihazların enerji tüketimini azaltmada büyük bir değere sahiptir.
Fudan Üniversitesi Fizik Bölümü Profesörü Xiu Faxian: Cep telefonlarımızın ve bilgisayarlarımızın ısınmasının iki nedeni vardır: Transistörün kendisinin ısınması ve bu (birbirine bağlı) tellerden geçen akımın ürettiği tellerin ısınması O halde şimdi çözmemiz gereken sorun tellerin ısınmasıdır. Bu konuda faydalı olabilir.
