Para ile yapılabilir mi? BYD "core" otomobil endüstrisinde Qualcomm olmak istiyor
IGBT ve batarya birlikte, yeni enerji araçlarının çekirdek teknolojisinin "Everest Dağı" olarak adlandırılır ve bunlar, elektrikli araçların gelişimini kısıtlayan iki temel teknolojidir. Bunların arasında, güç pillerinin önemi dış dünyadan yeterince ilgi gördü ve diğer temel teknoloji olan "IGBT" insanların dikkatini yeni çekti.
IGBT (Yalıtılmış Kapı Bipolar Transistörü, yalıtımlı geçit iki kutuplu transistörü), DC voltajını ayarlanabilir frekansla AC gücüne çevirmek için esas olarak invertör invertörü ve diğer invertör devreleri için kullanılan yüksek güçlü bir elektronik cihazdır. Genellikle güç elektroniği cihazının "CPU" olarak bilinen tahrik sisteminin torkunu (doğrudan arabanın hızlanma kapasitesini etkiler), maksimum çıkış gücünü (doğrudan aracın maksimum hızını etkiler) vb. Belirleyecektir. Yeni enerji araçlarının temel bileşeni olan IGBT, teknik zorluklar ve büyük yatırımlar nedeniyle yurt içi gelişiminin ciddi şekilde gerisinde kalıyor. Orta-üst düzey IGBT'lerin üretim kapasitesi son derece yetersiz ve uluslararası devlere uzun vadeli bağımlılık "bir çekirdek bulmak zor.
IGBT, önümüzdeki 3-5 yıl içinde yeni enerjili araç endüstrisinin gelişimini sınırlayan ve dolayısıyla yeni enerji araçlarının büyük ölçekli ticarileştirilmesini kısıtlayan ana darboğazlardan biri olmaya devam edecek. İlgili veriler, Çin'in IGBT pazarının uluslararası devler tarafından tekelleştirildiğini ve pazarın% 90'ının Infineon ve Mitsubishi gibi denizaşırı devlerin elinde olduğunu gösteriyor. Bununla birlikte, pazar segmentindeki otomotiv düzenlemeleri alanında BYD, gofret tasarımı, modül ısı dağıtımı, ambalajlama süreci ve üretimi gibi temel teknolojileri aşarak yabancı patent ve teknoloji ablukasını kırdı.
"Zorlanan" temel rekabet gücü
Çin Elektrikli Ekipman Endüstrisi Derneği Güç Elektroniği Şubesi genel sekreteri Wei Hongqi, "IGBT'ye para ile ulaşılamaz. 10 milyarı düşürürseniz, özellikle Çin'deki mevcut durumda bir yılda hiçbir sonuç alınmayacaktır. Para sorunu çözebilir ve kısa sürede sonuçlanmayacaktır. Eğer güç cihazı yurt içinde yapılırsa, sadece rekabet etmekle kalmaz, diğerleri takılıp kalmaz, böylece çok para biriktirebiliriz. "
Wei Hongqi, Genel Sekreter, Çin Elektrikli Ekipman Endüstrisi Derneği Güç Elektroniği Şubesi
BYD, 2015'in başlarında bir IGBT Ar-Ge ekibi kurdu ve IGBT endüstrisini konuşlandırdı; 2009 yılında endüstriyel bilimsel ve teknolojik başarıların değerlendirmesini aldı ve yerli otomotiv alanında sanayileşmeyi ilk gerçekleştiren oldu; 2012'de 2.0 nesil çip başarıyla geliştirildi ve 2015 yılında IGBT2. 5. nesil çip başarıyla geliştirildi ve IGBT4.0 geçen yıl başarıyla geliştirildi. Kasım ayı itibarıyla BYD'nin kümülatif IGBT yüklemesi 500.000'i aştı. Wei Hongqi de bu konuda aynı şekilde hissetti: "BYD'ye neredeyse on yıl önce, 2005'ten bugüne bağlandım. 2009'da BYD'nin IGBT'si için bilimsel ve teknolojik başarıların bir değerlendirmesini yaptık, 2009'dan sonra, BYDnin IGBTleri gruplar halinde kuruldu. Yaklaşık üç yıl sonra, yeni nesil IGBTler yeniden kuruldu. İki yıl sonra, yaklaşık 2016, güncellenmiş nesil IGBTler gruplar halinde kuruldu, böylece BYD bugün piyasaya çıktı. En son nesil IGBT4.0. "
China Semiconductor Industry Association IC Tasarım Şubesi başkan yardımcısı Zhou Shengming, "Kendi güçlü Ar-Ge gücüne, yetenek toplanmasına ve endüstriyel zincirin bir araya getirilmesine güvenerek, BYD çok temel bir atılım gerçekleştirdi. Bu atılım sadece yarına yatırım yapmakla ilgili değil. Elde edilen şey, on yıldan fazla bir süredir birikmiş olan teknolojilerin, yeteneklerin ve endüstriyel zincirlerin tedariki ve sıradan işletmelerin bu tür bir gücü yok. "
Zhou Shengming, China Semiconductor Industry Association IC Tasarım Şubesi Başkan Yardımcısı
BYD, tüm endüstri zincirinin benzersiz koşulları sayesinde iletişim, iletişim ve koordinasyonda daha verimli olacak ve diğer otomobil şirketlerinden daha hızlı sonuçlar elde edecek. Aslında, bu da zorunludur. BYD'nin Altıncı İş Birimi ve Güneş Enerjisi İş Birimi Genel Müdürü Chen Gang, Bu endüstrinin aşağı yönde çekilmesi gerekiyor. Bir yukarı akış cihaz Ar-Ge ekibi olarak, aşağı akışla iletişim kurmanız ve entegre olmanız gerekiyor. Milyarlarca, on milyarlarca çok para harcayabilirsiniz. Ancak downstream uygulamalarla temasa geçmiyorsunuz ve yaptığınız ürünler uygulama tarafı için en uygun ürünler olmayabilir. Sonuçta hiç bir etki yapmadan para harcadınız. "Aynı zamanda yarı iletken araştırma ve geliştirme ile uğraşanlara da hatırlattı. "Geç gelenler", "Zorlukları açıkça fark etmelisiniz. Yarı iletken endüstrisi kesinlikle parayla yapabileceğiniz bir şey değil. Burada çok fazla yalnızlık var. 1.0 neslinden 2.0 nesline kadar binlerce simülasyon tasarım turundan geçmesi gerekiyor 4.0 nesli binlerce optimizasyondan geçti. "
BYD Altıncı Bölüm ve Güneş Enerjisi Bölümü Genel Müdürü Chen Gang
En son nesil IGBT4.0'dan bahseden Chen Gang, sözlerinde oldukça heyecanlıydı: BYD IGBT4.0 ürünleri, yerli otomobil seviyesi IGBT'ler için yeni bir kriter belirledi. Yeni nesil Tang'ı örnek alırsak, diğer koşullar değişmeden, BYD IGBT4.0 kullanımı, mevcut pazardaki ana akım IGBT'ye göre 100 kilometrede yaklaşık% 3 daha az güç tüketimidir; IGBT4.0 ürün modülünün sıcaklık döngüsü ömrü elde edilebilir Mevcut pazardaki ana akım ürünlerin 10 katından fazla; IGBT4.0 ile donatılmış V-315 serisi modüller, aynı çalışma koşullarında mevcut pazardaki ana akım ürünlere göre mevcut çıkış kapasitesinde% 15 artışa sahip olup, daha güçlü hızlanma kabiliyetine sahip aracı destekler. BYD'nin hibrit araçlarının dünyadaki en yüksek paya sahip olduğu göz önüne alındığında, V-315 modülü, yeni enerji araçları alanında en fazla yüklü tam köprü IGBT modülüdür.
Bunun sonucunda ortaya çıkan sorun, IGBT üretim kapasitesinin yeni enerji araçlarının geliştirilmesini kısıtlayan bir darboğaz haline gelmesidir. Chen Gang ayrıca, IGBT'lerin arz ve talebinin artık çok sıkı olduğunu ve BYD'nin çabalarını hızlandıracağını açıkladı. BYD, bu yılın sonunda üretim kapasitesini ayda 50.000 parçaya çıkardı ve bir sonraki üretim kapasitesi için planlar takip edecek. Fabrika, temelde bir fabrikanın kopyası olduğu için, 2020 yılına kadar aylık 100.000 gofret çıktı elde edecek ve bu da yıllık 1,2 milyon araç üretimine ulaşabilir. Zhou Shengming, "Pek çok insan, özellikle sıradan insanlar, yerli yeni enerji araçlarının çekirdek teknolojisini bilmiyor. Çipler çok önemli. Yeni nesil BYD Don satın almak için sıraya giriyordum, ancak şimdi satın alamıyorum. IGBT'mizin yetersiz olmasından kaynaklanıyor olabileceğini fark ettim. "
IGBT'nin yerini alacak silikon karbür yerleşimi?
BYD tarafından yeni piyasaya sürülen IGBT4.0'a ek olarak, 5.0, 6.0 ve 7.0 da takip edecek. Çip seviyesinden, IGBT gelecekte uzun süre ortadan kalkmayacak. Aynı zamanda, elektrikli araçların bazı alanlarında, maliyet dikkate alınmalıdır veya daha yüksek kaliteli çipler kullanmaya gerek yoktur, bu nedenle IGBT'ler gelecekte hala büyük bir uygulama pazarına sahip olacaktır. Bununla birlikte, IGBT'ye ayak uydurmak, BYD'nin en son üçüncü nesil yarı iletken silikon karbür teknolojisini de aktif olarak kullanmasıdır.
Yeni nesil silisyum karbür teknolojisinin uygulanması, tüm elektrikli araç motorunun verimliliğini% 5-8 artırabilir, bu da seyir menzilinin% 5-8 artırılabileceği anlamına gelir.Akü ömründeki artış, kullanılan pil miktarını da azaltabilir ve pil maliyetlerini önemli ölçüde azaltabilir. BYD, silisyum karbür endüstriyel zincirinin tamamını uygulayan ilk yerli otomobil şirketidir.Silikon karbür tozundan son silisyum karbür gofretlere ve silisyum karbür deneyleri ile donatılmış endüstriyel zincirin tamamına kadar, büyük ölçekli otomotiv güç kaynaklarında kullanılmıştır. Silisyum karbür elektronik kontrol ile donatılmış bir elektrikli otomobilin önümüzdeki yıl piyasaya sürülmesi bekleniyor. Daha mükemmel performansla, silisyum karbür bazlı yarı iletkenler, silikon bazlı yarı iletkenlerin yerini alacak.Silikon bazlı IGBT'lerin önümüzdeki birkaç yıl içinde otomotiv alanında kademeli olarak ortadan kaldırılması bekleniyor. Zhou Shengming, "Silisyum karbür, yeni malzemelerin araştırılması ve geliştirilmesi için bir atılımdır. Avrupa ve Japonya gibi dünyadaki ön uç şehirlerin halihazırda yerleşimleri var. Onlar öndeydiler, ancak bu yeni alanda tamamen yetişebiliriz."
Gelecek parlak ve yol dolambaçlı, silisyum karbür de birçok sorunla karşı karşıyadır, bunlardan ilki yüksek maliyettir. Silisyum karbürün mevcut maliyeti, IGBT ürünlerinin 8-10 katıdır ve bu, esas olarak birinci cihazın verim ve talep tarafı ile sınırlıdır. Tüm araçtaki üç elektrikli sistemde, elektronik kontrol sisteminde silikon karbür kullanıldığında, bir platforma tanıtılması ve dolayısıyla maliyeti artırması gerekir.
Silisyum karbür teknolojisinin yüksek maliyetiyle karşı karşıya kalan Chen Gang, "Artık size silisyum karbürün hangi konuma ne zaman ulaşabileceğini tam olarak söyleyemeyiz, ancak önümüzdeki yıl karbürle donatılacağımızı açıkça söyleyebiliriz. Silikon platformun ortaya çıkışı, gelecekte silikon karbürün performans ve uygun maliyetli avantajlarını dengeleyecek. Bu, yeni enerji araçlarında cömert olabilen çok iyi bir üçüncü nesil yarı iletken cihazdır. "
Sonuç: BYD, dünyanın en büyük otomotiv sınıfı güç yarı iletkenleri tedarikçisi ve cep telefonları için Qualcomm ve bilgisayarlar için Intel gibi (araç sınıfı) güç yarı iletkenleri alanında küresel bir lider olmayı hedefliyor. BYD'nin hedefleri her zaman yeterince büyük olmuştur.
