"Industry Hotspot" Samsung: 5 / 4nm EUV süreci önümüzdeki yıl başlatılacak, 3nm GAA süreci 2020'de başlatılacak
Birkaç gün önce, Samsung 2018 Foundry Teknoloji Forumu'nu düzenledi.Toplantı sırasında Samsung, yalnızca 7 nanometre işleminin ilerlemesini açıklamakla kalmadı, aynı zamanda yüksek performanslı hesaplamanın (yüksek performanslı hesaplama) geleceğini ortaya çıkaran 3 nanometre işlem teknolojisinin planını da ortaya çıkardı. ) Ve IoT pazarının istekleri.
Aşağıdaki şekilde gösterildiği gibi Samsung tarafından yayınlanan süreç planında gösterildiği gibi, il önce 7 nanometre parçayı hedefliyor. Samsung'un dökümhane bölümü başkanı ES Jung, Samsungun 7 nanometresinin dünyanın en uç ultraviyole (EUV) litografi teknolojisini kullanan ilk olduğunu söyledi. Geçmişte geleneksel ArF daldırma litografiden çok farklı olan gofret dökümhanesi 2018 yılında üretime girmiştir.
Samsung Electronics, 4'te Japonya'da SFF Japonya 2018 olarak anılan "Samsung Foundry Forumu 2018 Japonya Konferansı" düzenledi. Bu, Samsung'un Japonya'da ikinci kez bir dökümhane konferansı düzenledi. Japon PCwatch web sitesi, Samsung'un toplantısının ana içeriğini tanıttı. Samsung'un sloganı "En Güvenilir Dökümhane" ve Samsung'un dökümhanedeki en son yol haritasını duyurdu.
Samsung yöneticileri, 7nm FinFET EUV sürecinin 2018'de daha sonra başlatılacağını ve 8nm LPU sürecinin de riskli deneme üretimine başlayacağını söyledi. 2019'da 5 / 4nm FinFET EUV süreci başlatılacak ve 18nm FD-SOI süreci riskli deneme üretimine başlayacak. , İkincisi esas olarak RF radyo frekansı, eMRAM ve diğer çip ürünleri içindir.
2020'de Samsung, 3nm'lik bir EUV sürecini başlatacak ve transistör yapısı da mevcut FinFET'ten bir GAA (Her Yerde Geçit) yapısına büyük ölçüde değişecek. GAA, 7nm düğümünden sonra FinFET transistörlerinin yerini alacak yeni nesil bir teknoloji adayı olarak kabul ediliyor.
Gate-All-Around, kapıyı çevrelemektir Mevcut FinFET Tri-Gate tasarımıyla karşılaştırıldığında, transistörün temel yapısı, mevcut teknolojinin fiziksel ve performans sınırlarının üstesinden gelmek, geçit kontrolünü geliştirmek ve performansı büyük ölçüde iyileştirmek için yeniden tasarlanacaktır. 21. yüzyılın başından beri Samsung ve diğer şirketler GAA teknolojisini geliştiriyor. GAA transistörleri, besleme voltajı da dahil olmak üzere FinFET'lerin fiziksel ölçeklendirme ve performans sınırlamalarının üstesinden gelmek için kanalın dört tarafında bir geçidi olan alan etkili transistörlerdir (FET'ler).
Samsung pazarlama başkan yardımcısı Ryan Sanghyun Lee, 2002'den beri Samsungun tescilli GAA teknolojisinin çok kanallı FET (MBCFET) olarak adlandırıldığını söyledi. Şirkete göre, MCBFET'ler geçit kontrolünü geliştirmek ve transistör performansını önemli ölçüde artırmak için nanoçip cihazları kullanıyor.
Samsungun ağzındaki MBCFETin aslında yatay bir çepeçevre kapı teknolojisi olduğu anlaşılıyor (Her yönden yatay kapı, ayrıca bazı belgelerde yanal geçit olarak da anılacaktır, bundan sonra yatay GAA ve kısaca GAA olarak anılacaktır) Biraz.
Kamuya açıklanmasa da, diğer yonga üreticileri aslında aynı yönde çalışıyor ve planlanan başlatma zamanı benzer.Herkes yatay GAA kullanıyor ancak kanat şekilleri farklı.Samsung nanoboard kullanıyor. Dilim şeklindeki kanatçıklar için, bazı üreticiler dairesel nanotel şeklinde enine kesitli kanatçıkları tercih eder ... Bunların tümü yatay GAA'nın bir parçasıdır ve diğer varyantlar arasında altıgen kanatçıklar, nano halka kanatçıklar vb. Bulunur.
Samsung için, özellikle TSMC 7 nm siparişlerin çoğunu aldığında 7 nm müşterilerine sahip olmak çok önemlidir. Orijinal metnin yazarı, TSMCnin 7 nm üretim kapasitesinin 7 nm siparişlerin tümünü alamayacağına ve Samsungun hala onları kapma şansına sahip olduğuna inanıyor. Müşterileri kazanın, bu yüzden bir şirketin yeni nesil GPU'sunun Samsung OEM'e devredilebileceğini tahmin etti - ancak bunun kendi spekülasyonu olduğunu vurguladı.
GPU dökümhanesinde Samsung, NVIDA'nın GTX 1050 Ti / 1050 grafik kartının GP107 çekirdeğini üretmek için 14nm sürecini kullandı.
Aşağıda, Samsungun paketleme ve test için yol haritası verilmiştir. Şu anda Samsung, FOPLP-PoP ve I-Cube 2.5D paketleri sağlayabilir. Önümüzdeki yıl, paket içinde 3D SiP sistemi piyasaya sürecek. I-Cube paketi, 4 yollu HBM 2'ye ulaşabilir. Video bellek yığını dolu.
Ancak, Samsung'un tasarımı için Intel Bohr bir keresinde böyle bir değerlendirme yaptı: "... Bu tasarım övündükleri kadar şok edici değil, sadece geleneksel finfet'i ortaya koyuyor. , Bu tasarımın nanotel kanalından daha güçlü olup olmadığı belli değil. "
Şu anda TSMC, AMDnin Zen 2 işlemci mimarisini ve 7 nanometre sürecini kullanan Roma kod adlı ikinci nesil Epyc işlemcisini çoktan yemiş durumda. GlobalFoundries Ağustos sonunda 7 nanometre gelişmiş işlem yarışmasından çekildiğini duyurduğunda, Samsung, ilk bakışta TSMC'nin büyük bir galibiyet elde ettiğini ancak Samsung'un hala bir şansı olduğunu söyledi.
Samsung, akıllı telefon fabrikalarının da entegre tek çipli (SoC) üretim gereksinimlerine sahip olduğunu göz önünde bulundurarak, TSMC'nin 7 nanometre üretim hatlarını tam olarak geliştirmek için yeterli alana sahip olma ihtimalinin düşük olduğunu ve üretim kapasitesinin mevcut teknolojik olarak lider GPU şirketlerini karşılamak için yetersiz olduğu tahmin edildiğini belirtti. Bazı fabrikaların yeni nesil yongalarının da 7 nanometre sürecine dahil edileceği ve Samsung tarafından üretileceği anlaşılıyor.
Samsung'un brifing toplantısında Samsung, şirketin 7 nanometre teknolojisinin gelecekte ağlar ve otomotiv yongaları alanlarında kullanılacağını tahmin etti. Bununla birlikte, birçok pazar katılımcısı, Samsungun 7 nanometre işleminin yalnızca ağlar ve otomotiv yongaları tarafından benimsenebileceğinden şüphe duyuyor. Daha verimli bir GPU yonga pazarı değil, bu da Samsungun 7 nanometre işleminin Nvidia ve AMD gibi yonga devlerinin teknik standartlarını karşılamayabileceği anlamına geliyor.
Eğitim Bilgileri
Ayrıca ziyaret etmek için URL'ye de tıklayabilirsiniz
