Karbon disülfide dayalı metamalzemelerin terahertz iletim özelliklerinin modülasyonu
Terahertz (Terahertz, THz) dalgaları, 100 GHz ila 10 THz frekans aralığına sahip, milimetre dalgalar ile kızılötesi ışık arasındaki elektromanyetik dalgalardır. Terahertz teknolojisi, tıbbi alanda biyomoleküler tanıma, görüntüleme ve tanıma, astronomik algılama sensörleri ve mikroskop teknolojisi alanlarında potansiyel uygulamalara sahiptir ve geniş çapta ilgi çekmiştir. Terahertz teknolojisinin gelişmesiyle birlikte, terahertz dalga bandı kontrol cihazlarının tasarımı ve üretimi çok acil hale geldi. Doğal malzemeler terahertz grubuna uygun bir yanıt vermediği için, insanlar dikkatlerini yapay olarak tasarlanmış metamalzemelerin araştırma ve geliştirmesine çevirdi. Metamalzemeler olarak da adlandırılan metamalzemeler ilk olarak Walser A R M ve diğerleri tarafından önerilmiş olup, genellikle alt dalga boyu periyodik metal yapılardan oluşan alt dalga boyu periyodik yapılara sahip yapay olarak üretilmiş malzemelerdir. Genel doğal malzemelerle karşılaştırıldığında, negatif kırılma indisi, ters Doppler etkisi ve ters Cherenkov radyasyonu gibi özel elektromanyetik olayları gerçekleştirebilir. Yaklaşık son on yılda, terahertz-band metamalzemeler büyük ilgi uyandırdı. 2008 yılında, TAO H ve diğerleri, yarı yalıtımlı bir GaAs substratı üzerinde bir çift-açılımlı SRRs-dielektrik tabakalı metal tel yapısını imal etmek için yüzey mikro işleme teknolojisini kullandı ve gelen dalgaların absorpsiyon oranı, 1.3 THz'lik bir rezonans frekansında% 70'e ulaştı. 2009 yılında OLIVER P ve diğerleri, hat plakası yapısı ve çapraz oluk yapısı olan iki metamalzeme bazlı terahertz filtre tasarladı ve üretti.Düşük kayıplı "yakalama modunu" uyararak, iletim geçiş bandının geçirgenliği aşıyor % 80, durdurma bandının iletimi açıkça bastırılır. Aynı yıl WEIS P ve arkadaşları BCB kartı üzerinde hazırlanan "süreksiz çift" bakır metal periyodik yapısını kullanarak yüksek geçirgenliğe sahip / 4 ve / 2 dalga plakaları tasarlayıp imal etmiş ve iletilen dalga yoğunluğu% 74'ü aşmıştır. Ve% 58. 2013 yılında Li Jiusheng ve arkadaşları, 0.573 THz'de% 99.6 absorpsiyon oranına sahip binaural anizotropik tek bantlı terahertz emici bir malzeme tasarladı ve hazırladı. Yukarıda bahsedilen cihazların tamamı pasif kontrol cihazlarıdır.Yapı belirlendikten sonra terahertz dalgasına verilen tepki buna göre belirlenir. Terahertz dalga bandı metamalzemelerinin dinamik kontrolünü gerçekleştirmek için, insanlar sıcaklık alanları, elektrik alanları, manyetik alanlar, mekanik alanlar ve optik alanlar sunmuşlar ve ayarlanabilir metamalzemelerin çeşitli yapılarını önermişlerdir.
Diğer kontrol yöntemleriyle karşılaştırıldığında, ışık alanı kontrol yöntemi, hızlı yanıt süresi ve basit çalışma özelliklerine sahiptir ve en çok çalışılan kontrol yöntemidir. 2005 yılında Almanya'daki Kurz araştırma grubu ilk olarak terahertz metamalzemelerine dayalı tüm optik modülatörleri inceledi.Farklı pompa ışık güçlerine sahip farklı cilt derinliklerine sahip olmak için yarı iletkenlerin özelliklerini kullandılar.Pompa ışık gücünü 0 mW'den 200'e değiştirerek mW, terahertz metamalzemesinin rezonans tepe noktasının ayarlanmasını gerçekleştirir. 2006 yılında, PADILLA WJ ve arkadaşları, yüksek dirençli galyum arsenit substrat malzemesi üzerinde ayrık bir rezonans halkası işledi.İlk kez yapılan deneyler, yarı iletken substrattaki taşıyıcıları uyarmak için ışık kullanımının terahertz metamalzemesine dinamik elektrik yanıtını gerçekleştirebileceğini kanıtladı Yönetmelik. 2007 yılında, FEKETE L ve diğerleri, fotonik bant boşluğunun hareket etmesine neden olmak için GaAs katmanına etki eden lazerle terahertz dalga iletim modülasyonunu gerçekleştiren tek boyutlu fotonik kristallere dayalı bir terahertz modülatörü önerdi ve modülasyon derinliği% 50'ye ulaştı. 2008 yılında Chen H T ve arkadaşları, metal mikroşerit yapısını yarı iletken silikon substrat üzerine kazdılar ve kondansatörün etkin boyutunu değiştirmek için elektrik iletkenliğini değiştirmek için ışık kontrolünü kullandılar Rezonans frekansında geçirgenliğin kontrol aralığı% 20'ye ulaştı. SHEN N H ve arkadaşları 2011 yılında alt dalga boylu metal rezonatörüne silikon malzeme eklemiş, optik kontrol sayesinde rezonans frekansı 0.76 ila 0.96 THz aralığında değiştirilmiş ve frekans kayma aralığı% 26'ya ulaşmıştır. 2012 yılında WEIS P ve diğerleri, 0 ila 500 mW gücünde bir lazer ayarlı grafen / yüksek dirençli silikon kompozit yapı kullandı ve terahertz modülasyon derinliği% 99'a ulaştı.
Bildirilen ışık kontrollü metamalzemelerin çoğu, yarı iletken malzemedeki taşıyıcı konsantrasyonunu değiştirmek için kontrol ışığının enerjisini değiştiriyor ve metamalzemenin rezonans frekansını değiştirmesine neden oluyor, böylece alt dalga boyu metal yapı terahertz dalgasının dinamik kontrolünü gerçekleştiriyor. Yarı iletken malzeme taşıyıcılarının rekombinasyon ömrü, genellikle, ışık kontrolü için yarı iletken tabanlı metamalzemelerin yanıt hızını sınırlayan nanosaniye sırasındadır ve kontrol etkisi, yarı iletkenin şekline ve boyutuna çok bağlıdır. CS2, büyük optik doğrusal olmayan basit sıvı bir malzemedir ve diğer malzemelerin üçüncü dereceden doğrusal olmayan optik özelliklerini kalibre etmek için genellikle bir referans numune olarak kullanılır. Yarı iletken malzemelerle karşılaştırıldığında tepki süresi yalnızca 1,68 ps'dir ve kontrol etkisi boyutuna ve şekline bağlı değildir ve işlenmesi kolaydır.
Bu nedenle, bu makale terahertz bantlı metamalzemeler için CS2 tabanlı bir ışık kontrol yöntemi önermektedir.
1 Yapı ve simülasyon
Alt dalga boyu metal blok dizisi, tipik bir metamalzeme yapısıdır ve yurtiçi ve yurtdışındaki araştırma grupları bu yapı üzerinde kapsamlı araştırmalar yürütmüştür. 2018 yılında, JING W ve diğerleri, sıvı kristal malzemeleri dalga boyu altı metal blok dizi yapısına dahil etti ve büyük modülasyon derinliği ve düşük ekleme kaybına sahip elektriksel olarak ayarlanabilen bir terahertz modülatörü hazırladı. Önerilen alt dalga boyu metal blok dizisi yapısına dayanarak, bu makale CS2'nin terahertz dalga iletiminin ışık kontrolünü gerçekleştirmek için kullanımını incelemektedir.
JING W ve diğerleri tarafından incelenen metal blok dizi yapısı Şekil 1'de gösterilmektedir. Metal blok biriminin uzunluğu L = 90 m, genişlik W = 40 m, metal bloğun uzunluğu X = 55 m, genişlik Y = 8 m ve kalınlık d = 0,1 m'dir. Bu makale SiO2 malzemesini temel olarak kullanır. Terahertz bandında, metallerin dielektrik sabitinin hayali kısmı çok büyüktür, bu nedenle metaller ideal elektrik iletken malzemeleri olarak kabul edilebilir.
Şekil 2'de gösterildiği gibi, malzemenin terahertz iletim özelliklerinin ışık düzenlemesini gerçekleştirmek için CS2, düzenleme ortamı olarak seçilir ve alt dalga boyu periyodik metal blok dizisi yapısı CS2'ye daldırılır. 1 ila 3,5 THz frekanslı terahertz sinyal ışığı, mercek tarafından odaklanır ve terahertz dalgasının odak noktasında bulunan metal blok dizisi üzerindeki olaydır. Aynı zamanda 800 nm dalga boyuna sahip bir femtosaniye lazer, lens tarafından dizi yapısına kontrol ışığı olarak yansıtılır ve kontrol ışığı spotu terahertz ışık noktasını kaplar. Kontrol ışığının yoğunluğunu 0 ~ 2 MW / m2 aralığında değiştirin, böylece CS2'nin kırılma indisini ayarlayın ve terahertz dalga iletiminin ışık kontrolünü gerçekleştirin.
2 Simülasyon sonuçları ve tartışma
CS2, doğrusal olmayan büyük bir kırılma indisine sahip tipik bir malzemedir. Kırılma indisi şu şekilde ifade edilebilir:
Bunlar arasında n0, doğrusal kırılma indisi, n0 = 1.6276; doğrusal olmayan kırılma indisi katsayısı ve = 2.1 × 10-7m2 / W; I, ışığın yoğunluğudur. Şekil 3, CS2 kırılma indisi ile ışık yoğunluğu arasındaki ilişkiyi gösterir.
Şekil 3'ten, ışık yoğunluğu arttıkça, CS2'nin kırılma indisinin doğrusal olarak arttığı görülebilir. Bu yazıda kontrol ışık yoğunluğu 0, 0.476, 0.952, 1.428, 1.904 (MW / m2) olarak seçilmiştir ve CS2'nin kırılma indisi buna göre 1.73, 1.83, 1.93, 2.03'e yükselmektedir. FDTD çözüm yazılımı, farklı kontrol ışık yoğunlukları altında terahertz sinyalinin iletim spektrumunu simüle etmek ve hesaplamak için kullanıldı.
Literatüre göre, metal blok dizisi yapısının kırılma indisi n1 = 1'e ayarlanmıştır ve metal bloğu örten ortamın kırılma indisi n2 = 1.5'e ayarlanmıştır. Simüle edilen iletim spektrumu, Şekil 4'teki 1. eğri ile gösterilmiştir. Şekil 4'ten, iletim spektrumunun iki çukura ve bir tepeye sahip olduğu görülebilir. Bunlar arasında, dip 12.3 THz'de, dip 23.2 THz'de ve tepe 3.1 THz'de Bu sonuç literatür sonuçlarıyla tamamen uyumludur.
Bu yazıda önerilen şemada, substrat SiO2'dir, kontrol ortamı CS2'dir ve kontrol ışık gücü 0, 0.476, 0.952, 1.428, 1.904 (MW / m2) olarak değiştirilmiştir. Farklı kontrol ışık güçleri altında sinyal ışığının iletim spektrumu Şekil 4'te gösterilmiştir. Kontrol ışığının gücü 0 olduğunda, elde edilen iletim spektrumu Şekil 4'te 2. eğri olarak gösterilir. Çukur 11.88 THz'ye, çukur 22.90 THz'ye ve tepe 2.85 THz'ye hareket eder. Literatürde verilen transmisyon spektrumu ile karşılaştırıldığında, çukurlar ve tepeler kırmızıya kaymıştır Bu değişiklik substratın kırılma indisinin ve kaplama metal bloğunun değişmesinden kaynaklanmaktadır.Bu değişiklik bu makalede dikkate alınmamaktadır. Kontrol optik güç yoğunluğu 0,476 MW / m2'ye yükseltildiğinde, elde edilen iletim spektrumu Şekil 4'te eğri 3 olarak gösterilir. Çukur 11,82 THz'de, çukur 22,85 THz'de ve tepe 2,80 THz'de görünür . Kontrol ışığının gücü 0,952 MW / m2'ye yükseltildiğinde, elde edilen iletim spektrumu Şekil 4'te eğri 4 olarak gösterilir. Çukur 11,76 THz'de, çukur 22,80 THz'de ve tepe 2,74 THz'de görünür. Kontrol ışığının gücü 1,428 MW / m2'ye yükseltildiğinde, elde edilen iletim spektrumu Şekil 4'te eğri 5 olarak gösterilir. Çukur 11,70 THz'de, çukur 22,76 THz'de ve tepe 2,69 THz'de görünür. Kontrol ışığının gücü 1.904 MW / m2'ye yükseltildiğinde, elde edilen iletim spektrumu Şekil 4'te eğri 6 olarak gösterilir. Çukur 11.65 THz'de, çukur 22.72 THz'de ve tepe 2.64 THz'de görünür. Kontrol ışığını ekledikten sonra oluk 1, oluk 2 ve tepenin hepsinin kırmızı bir kayma olduğu ve kontrol ışığı gücü arttıkça kırmızıya kaymanın arttığı görülebilir.Özel değişiklikler Şekil 5'te gösterilmektedir.
Şekil 5'ten kontrol ışığı gücü arttıkça oluk 1, oluk 2 ve tepe frekanslarının kırmızıya kaydığı ve ikisinin doğrusal bir ilişki içinde olduğu görülebilir. Birim ışık yoğunluğu değişikliğinin E neden olduğu çukur veya tepe frekans değişimini f kontrol hassasiyeti K olarak tanımlayın, yani:
Kontrol hassasiyeti K ne kadar büyükse, oluk veya tepe üzerindeki kontrol ışığının kontrolü o kadar önemlidir. Kanal 1'in kontrol hassasiyeti 0,10 THz / (MW / m2), dip 2'nin kontrol hassasiyeti 0,12 THz / (MW / m2) ve tepe kontrol hassasiyeti 0,12 THz / (MW / m2) 'dir. Simülasyon sonuçları, çukur ve tepe frekansının CS2'ye dayalı ışık tarafından kontrol edildiğini göstermektedir.
Literatürdeki iletim spektrumunda, 2.3 THz çukur 1'de görünen rezonans, elektrik alanının güçlü bir lokalize dağılımına sahip simetrik bir anten rezonansıdır ve kısaca düşük Q rezonansı olarak adlandırılan Q = 2.7 kalite faktörüdür. 3.2 THz çukur 2'de görünen rezonans, yüzey dalgası moduna karşılık gelen ve elektrik dipollerinin etkileşimi ile üretilen asimetrik bir Fano rezonansıdır.Kısaca yüksek Q rezonansı olarak adlandırılan Q = 53 kalite faktörü. Düşük Q rezonansının ve yüksek Q rezonansının rezonans dalga boyları, metal blok yapısının periyot büyüklüğü L, substratın kırılma indisi n1 ve metal bloğu örten ortamın kırılma indisi n2 ile ilişkilidir.İki rezonans için Denklem (3) kullanılabilir. Konum açıklanmıştır.
Bunlar arasında neff, yapının n1 ve n2 boyutuna bağlı olan etkili kırılma indisidir; L, L = 90 m kullanılarak, yapının orijinal belgeyle aynı olan periyodudur; , malzemenin rezonans dalga boyudur. Denklemden (3), periyot uzunluğu belirlendiğinde, metamalzemenin rezonans dalga boyunun esas olarak çevreleyen ortamın etkili kırılma indisi tarafından belirleneceği anlaşılabilir.
Düşük Q rezonansı için, buradaki neff, metal bloğu kaplayan ortamın kırılma indisi n2'ye daha yakındır. Optik güç kademeli olarak arttıkça, CS2'nin kırılma indisi artar, bu da etkili kırılma indisinin neff artmasına neden olur, bu nedenle anten rezonans konumu kırmızıya kayar. Yüksek Q rezonansı için, substratın değiştirilmesi ve kaplama ortamının n2 değişmesi nedeniyle, buradaki etkili kırılma indisi neff, orijinal belgede tarif edilen substratın kırılma indisine nl daha yakın olan ilişkiyle tatmin olmayacaktır. Ancak kesin olan şey, optik güç arttıkça, CS2'nin kırılma indisinin artması ve aynı zamanda neff'in de artması, Fano rezonansının konumunun kırmızıya kaymasına neden olmasıdır.
3 Sonuç
Bu makale, alt dalga boyu periyodik metal blok dizisi yapısının terahertz iletim özelliklerinin düzenlenmesini gerçekleştirmek için CS2'nin optik Kerr etkisinin kullanımını incelemektedir. CS2 tabakasının kalınlığının son derece ince olduğu göz önüne alındığında, yayılan ışığın ekleme kaybı ve faz değişimi çok küçüktür ve göz ardı edilebilir.Bu nedenle, bu makalede sadece CS2'nin iletim spektrumunun rezonans noktasındaki düzenlemesi incelenmiştir. Araştırma sonuçları, dip 1'in kontrol hassasiyetinin 0.10 THz / (MW / m2), dip 2'nin kontrol hassasiyetinin 0.12 THz / (MW / m2) ve tepe kontrol hassasiyetinin 0.12 THz / (MW / m2) 'ye ulaştığını göstermektedir.
Referanslar
An Guoyu.Terahertz Teknolojisinin Uygulama ve Geliştirilmesi Araştırması Çevre Teknolojisi, 2018, 212 (2): 29-32.
FALCONER R J, MARKELZ A G. Peptidlerin ve proteinlerin Terahertz spektroskopik analizi Journal of Infrared, Millimeter ve Terahertz Waves, 2012, 33 (10): 973-988.
HU B B, NUSS M C. Terahertz dalgaları ile görüntüleme Optics Letters, 1995, 20 (16): 1716.
MITTLEMAN D M, GUPTA M, NEELAMANI R, ve diğerleri. Terahertz görüntülemede son gelişmeler. Uygulamalı Fizik B (Lazerler ve Optik), 1999, 68 (6): 1085-1094.
COLE B E. Terahertz insan derisinin in vivo görüntülenmesi ve spektroskopisi, SPIE'nin Bildirileri, 2001, 4276: 1-10.
WOODWARD R M, WALLACE V P, PYE R J, ve diğerleri Ex vivo bazal hücre karsinomunun Terahertz nabız görüntülemesi Journal of Investigative Dermatology, 2003, 120 (1): 72-78.
EADIE L H, REID C B, FITZGERALD A J, et al. Kolon kanseri teşhisi için çok boyutlu terahertz görüntüleme analizini optimize etme Uygulamaları ile Uzman Sistemler, 2013, 40 (6): 2043-2050.
SY S, HUANG S Y, XIANG Y. Karaciğer sirozunun Terahertz spektroskopisi: kontrastın kökeninin incelenmesi Tıp ve Biyolojide Fizik, 2010, 55 (24): 7587-7596.
OH S J, HUH Y M, SUH J S, ve diğerleri.Terahertz moleküler görüntüleme tekniği ile kanser teşhisi.Kızılötesi, Milimetre ve Terahertz Waves Dergisi, 2012, 33 (1): 74-81.
GERBER D, SWINYARD B M, ELLISON B N, ve diğerleri.LOCUS: düşük maliyetli üst atmosfer iskandili. SPIE'nin bildirileri, 2013.
PLAUT S, BARABAH S, BRUZZONE L, vd. Jupiter ICY aylar kaşif (JUICE): bilim hedefleri, misyonu ve araçları. Ay ve Gezegen Bilimi Konferansı, 2014.
KIWA T, TONOUCHI M, YAMASHITA M, et al.Entegre devrelerdeki elektrik arızalarını incelemek için lazer terahertz emisyon mikroskobu.Optik Mektupları, 2003, 28 (21): 2058-2060.
Li Chun. Aktif Terahertz Süperiletken Metamalzemeler Nanjing: Nanjing Üniversitesi, 2018.
WALSER AR M. Elektromanyetik metamalzemeler, SPIE'nin İşlemi, 2001, 4467 (10): 931-934.
ZHANG S, PARK Y S, LI J, ve diğerleri.Şiral metamalzemelerde negatif kırılma indisi.Fiziksel İnceleme Mektupları, 2009, 102 (2): 023901.
WANG Y, WU Q, WU Y M, vd.Manyetik tepki için negatif geçirgenliğe sahip geniş bant terahertz sol el malzemesi.IEEE İşlemleri Manyetikler, 2011, 47 (10): 2592-2595.
TAO H, LANDY N, BINGHAM C, ve diğerleri.Terahertz rejimi için bir metamalzeme emici: tasarım, imalat ve karakterizasyon. Optics Express, 2008, 16 (10): 7181-7188.
OLIVER P, RENEB, MARCO R. Yakalanan mod uyarımına dayalı yüksek seçici terahertz bant geçiren filtreler Optics Express, 2009, 17 (21): 819-827.
WEIS P, PAUL O, IMHOF C, ve diğerleri Negatif indeks terahertz dalga plakaları olarak kuvvetli çift kırılımlı metamalzemeler.Applied Physics Letters, 2009, 95 (17): 171104.
Li Jiusheng. Dual-C metamalzeme yapısından oluşan yüksek soğurmalı terahertz-dalga soğurucu Mikrodalga ve Optik Teknoloji Mektupları, 2013, 55 (5): 1185-1189.
ZHU Y, VEGESNA S, ZHAO Y, ve diğerleri Ayarlanabilir çift bantlı terahertz metamalzeme bant geçiren filtreler.Optik Harfler, 2013, 38 (14): 2382-2384.
NAKATA Y, URADE Y, OKIMURA K, et al.Işığın ortogonal polarizasyonları için iletim-yansıma anahtarlamasını gerçekleştirmek için anizotropik babinet-tersinir metas yüzeyler. Physical Review Applied, 2016, 6 (4): 044022.
VALMORRA F, SCALARI G, MAISSEN C, et al.Geniş alan CVD grafeni bir terahertz metamalzemesine bağlayarak terahertz dalgalarının düşük önyargılı aktif kontrolü. Nano Letters, 2013, 13 (7): 3193-3198.
LEE S, LEE K E, LEE W J, ve diğerleri.Geniş bantlı terahertz dalgalarının elektriksel modülasyonu için iki terminalli grafen oksit cihazları. Advanced Optical Materials, 2016, 4 (4): 548-554.
RICCI MC, XU H, PROZOROV R, et al.Süperiletken metamalzemelerin ayarlanabilirliği.Uygulamalı Süperiletkenlik Üzerine IEEE İşlemleri, 2012, 17 (2): 918-921.
PRYCE I M, AYDIN K, KELAITA Y A, ve diğerleri.Geniş frekans ayarlanabilirliği ile yüksek gerilimli uyumlu optik metamalzemeler Nano Letters, 2010, 10 (10): 4222-4227.
FU Y H, LIU A Q, ZHU W M, vd. Asimetrik ayrık halka rezonatörlerin yeniden yapılandırılması yoluyla mikro işlenmiş yeniden yapılandırılabilir bir meta malzeme. Advanced Functional Materials, 2011, 21 (18): 3589-3594.
JANKE C, RIVAS J G, BOLIVAR PH, ve diğerleri. Alt dalga boyu açıklıkları yoluyla elektromanyetik radyasyon iletiminin tamamen optik olarak değiştirilmesi. Optics Letters, 2005, 30 (18): 2357-2359.
PADILLA W J, TAYLOR A J, HIGHSTRETE C, ve diğerleri, terahertz frekanslarında dinamik elektrik ve manyetik metamalzeme tepkisi. Fiziksel İnceleme Mektupları, 2006, 96 (10): 107401.
FEKETE L, KADLEC F, KUZEL P, ve diğerleri. Ultrafast opto-terahertz fotonik kristal modülatör.Optics Letters, 2007, 32 (6): 680.
CHEN H T, O "HARA J F, AZAD A K, ve diğerleri. Frekans çevik terahertz metamalzemelerinin deneysel gösterimi. Nature Photonics, 2008, 2 (5): 295-298.
SHEN N H, MASSAOUTI M, GOKKAVAS M, ve diğerleri.Terahertz rejiminde optik olarak uygulanan geniş bant blueshift anahtarı. Physical Review Letters, 2011, 106 (3): 037403.
WEIS P, GARCIA-POMAR J L, HOH M, ve diğerleri Optik olarak ayarlanmış grafene dayalı spektral geniş bant terahertz dalga modülatörü ACS Nano, 2012, 6 (10): 9118-9124.
Qian Shixiong, Wang Gongming. Doğrusal Olmayan Optik: İlkeler ve İlerleme. Şangay: Fudan University Press, 2001.
HEISLER I A, CORREIA R R B, BUCKUP T, ve diğerleri. CS2-polistiren karışımları üzerinde zamana bağlı optik Kerr-etkisi araştırması. The Journal of Chemical Physics, 2005, 123 (5): 054509.
JING W, HAO T, YU W ve diğerleri.Plazmon kaynaklı şeffaflık metamalzemeli sıvı kristal terahertz modülatörü.Optics Express, 2018, 26 (5): 5769-5776.
HE Y, HE P, YOON SD, vd.Yttrium demir granat kullanılarak ayarlanabilir negatif indeks metamalzeme.Manyetizma ve Manyetik Malzemeler Dergisi, 2007, 313 (1): 187-191.
Kong Hui, Li Gaofang, Ma Guohong, vd.Alt dalga boyu metal blok dizilerinde terahertz dalgalarının iletim özellikleri Açta Photonica Sinica, 2012, 41 (8): 888-892.
Shen Yun, Wang Tao, Wang Yun, vd.Terahertz bant metal dizisi yapısının iletim ve yansıma geniş bant polarizasyon özellikleri. Açta Optics, 2018, 434 (5): 131-137.
Kong Degui. Karbon disülfür gibi birkaç doğrusal olmayan malzemenin Femtosaniye optik doğrusal olmayan araştırması Harbin: Harbin Teknoloji Enstitüsü, 2010.
SHEIK-BAHAE M, SAID A A, WEI TH, ve diğerleri Tek bir ışın kullanarak optik doğrusal olmayanlıkların hassas ölçümü IEEE Journal of Quantum Electronics, 1990, 26 (4): 760-769.
COURIS S, RENARD M, FAUCHER O, et al. Spektral kesme interferometresi ve z-tarama teknikleri ile karbon disülfid ve tolüenin doğrusal olmayan kırılma indisinin (n2) deneysel bir incelemesi. Chemical Physics Letters, 2009, 369 (3): 318 -324.
FALCONIERI M, SALVETTI G. Yüksek tekrar oranı, femtosaniye lazer darbelerinin neden olduğu saf optik ve termo-optik doğrusal olmayanlıkların eşzamanlı ölçümü: CS2'ye uygulama Applied Physics B, 1999, 69 (2): 133-136.
WANG B X, ZHAI X, WANG G Z, vd.Bir sensör uygulaması için yeni bir çift bantlı terahertz metamalzeme emici. Journal of Applied Physics, 2015, 117 (1): 014504.
yazar bilgileri:
Shi Yilin 1, Yang Suying 2, Gao Yachen 1
(1. Elektronik Mühendisliği Okulu, Heilongjiang Üniversitesi, Harbin 150080, Heilongjiang; 2. Fizik Grubu, Chaoyang Sağlık Okulu, Chaoyang 122000, Liaoning)
