Çin'in SOI gofret üretim kapasitesi iki katına çıktı ve bu iki büyük uygulama için "cephane" arzı dengelendi
Yenilikçi yarı iletken malzemelerin tasarımı ve üretiminde küresel bir lider olan Fransız Soitec şirketi, bu yıl Şubat ve Mart aylarında sürekli olarak ağır haberleri duyurdu: Birincisi, Çin'de satış kanalları açtı. Soitec'in Çin ekibinin satış ve teknik mühendisleri, Çinli müşterilere doğrudan destek sağlayacak; ikincisi, Şangay, Çin'deki üretim tesisinde yıllık 200 mm izolatör üzerinde silikon (SOI) yonga üretimini genişletmek için Shanghai Simgui ile işbirliğine dayalı ilişkiyi güçlendirmek. Yıllık üretim 180.000'den 360.000'e yükseltildi Yeni kapasite esas olarak otomotiv otonom sürüş alanında yer alan RF-SOI ve power Power-SOI cihazları içindir.Simao Technology, SOI gofret üretiminden sorumludur ve Soitec küresel ürün satışlarını yönetir.
Çin'in SOI ekosistemini genişletmeye devam edin
FD-SOI gofretlerin yüksek verimli ve olgun seri üretimini gerçekleştiren ilk şirket olan Soitec'in ürün yelpazesi, FD-SOI, opto-SOI ve Imager-SOI gibi dijital uygulama ürünlerinin yanı sıra RF-SOI ve power-SOI gibi iletişim ve güç uygulama ürünlerini içerir. . Bunlar arasında, optimize edilmiş alt tabakaların, özellikle de SOI gofretlerin üretimi için bağımsız olarak geliştirilen devrim niteliğindeki bir gofret yapıştırma ve sıyırma teknolojisi olan Smart Cut en ünlüsüdür. Bu, kristalin malzemedeki ultra-ince monokristal silikon tabakayı verici alt tabakadan diğer alt tabakalara aktarmak için kullanılan bir teknolojidir ve günümüzde çoğu SOI gofreti bu teknolojiyi kullanmaktadır.
Smart Cut teknolojisine dayalı alt tabaka optimizasyonu
Soitec, 2015'ten beri şirketin ana faaliyetini "elektronik endüstrisi için optimize edilmiş alt tabakaların tedarikini hızlandırmak" olarak tanımlamaktadır. Önümüzdeki üç yıl içinde şirketin performansı büyüme modunda. 2018 mali yılı sonu (Mart 2018 sonu) itibarıyla toplam gelir 350 milyon ABD dolarına ulaştı. 2019 mali yılının% 35 artış göstermesi bekleniyor.
Ağustos 2018 sonunda, yarı iletken tedarik zincirinin iş kapsamını optimize edilmiş alt tabakalardan entegre devrelere ve sistem uygulamalarına kadar birleştirmek için, Soitec, Dolphin Integration'ın hisselerinin çoğunu da satın aldı. Dolphin Integration, düşük güçlü yongaların geliştirilmesine odaklanan bir Fransız şirketidir. Satın alma yoluyla, iki taraf piyasaya optimize edilmiş güç yönetimi ve ileri vücut önyargı teknolojisini birleştiren benzersiz bir çözüm getirebilir.
Soitec Küresel Stratejiden Sorumlu Başkan Yardımcısı Dr.Thomas Piliszczuk, IP tasarımının FD-SOI'nin sorunlu noktalarından biri olduğunu inkar etmiyor, ancak Samsung (28nm, 18nm) ve GF (22nm, 12nm) ekosisteminin sürekli iyileştirilmesiyle birlikte vurguladı. , Renesas (65nm) ve ST (28nm), VeriSilicon (VeriSilicon), Arm, Synopsys, Cadence ve diğer büyük üreticiler son derece zengin IP ürünleri sunmaktadır Bu eksiklik son birkaç yılda büyük ölçüde hafifletilmiştir.
"Dolphin Integration'ı satın almayı seçmemizin nedeni, Soitec'in IP kitaplık yapısını ve ilgili hizmetleri güçlendirdiği ve FD-SOI tabanlı yonga tasarımı için daha enerji verimli ve verimli çözümler sağladığı anlamına geliyor. Bu, FD-SOI ve diğer SOI gofretlerinin ana nedenidir. Fark aynı zamanda ilgili pazarda FD-SOI'nin tanıtılmasında da önemli bir faktör. "Dedi Thomas Piliszczuk.
Sadece iki veya üç hafta önce, Dolphin Integration ve Global Foundries ortaklaşa 22nm düğümü destekleyen uyarlanabilir bir alt tabaka önyargı teknolojisi yayınladı.
Soitec, Çin'deki yerel SOI ekosisteminin inşasını çok erken desteklemeye başladı. 2007 gibi erken bir tarihte Soitec, Çinli dökümhaneler ve Ar-Ge merkezleri ile endüstriyel işbirliğine başladı. 2014 yılında Soitec ve Shanghai Simao Technology Co., Ltd., RF ve güç yarı iletken pazarlarında 200 mm SOI gofretler için stratejik bir ortaklığa ulaştı ve Çin'de yerelleştirilmiş bir SOI ekosistemi oluşturmaya yardımcı olacak bir lisans ve teknoloji transferi anlaşması imzaladı.
Şu anda HiSilicon, RDA / Spreadtrum ve Rockchip gibi tanınmış şirketler, 4G, 5G, AIOT, ADAS gibi temel uygulamalarda ve SOI teknolojisine dayalı veri merkezlerinde bir dizi atılım gerçekleştirdi. SMIC ve HHGrace tarafından temsil edilen Çin'in dökümhane şirketleri de RF-SOI'ye dayalı ürünler sağlamaktadır; GF ayrıca Chengdu belediye hükümeti ile 22nm SOI teknolojisine odaklanan bir ortak girişim kurmuştur.
SOI Çin Ekosistemi
Silikon bazlı ve silikon bazlı olmayan optimize edilmiş alt tabakaların otonom araçlar, endüstriyel bağlantı ve sanal gerçeklik gibi alanlarda 5G mobil iletişimin büyük ölçekli dağıtımında çok önemli bir rol oynadığını düşünen Soitec, geçtiğimiz günlerde Çin'e katılan ilk şirket olacağını duyurdu. Mobile 5G Ortak İnovasyon Merkezi'nin malzeme tedarikçileri, fabrikasız yarı iletken şirketleri, dökümhaneler, sistem düzeyinde tedarikçiler, entegre cihaz üreticileri (IDM), Ar-Ge / inovasyon merkezleri, üniversiteler ve endüstri birlikleri ile uzun vadeli ilişkiler geliştirmiştir. Küresel işbirliği ağı.
5G ve AIoT için iyi gofret garantisi
Plana göre Soitec, 300 mm SOI gofret kapasitesini önümüzdeki dört yıl içinde mevcut 1,65 milyon gofretten 2 milyona ve mevcut 900.000 gofretten 200 mm gofret kapasitesini 2019 sonuna kadar 1,3 milyon gofrete çıkarmayı planlıyor. Shanghai Xinao Technology'nin 200 mm SOI kapasitesi 360.000 parçayı aşıyor. Aynı zamanda, Soitec'in üç stratejik yatırımcısından biri olan Shanghai Silicon Industry Investment Co., Ltd. (National Silicon Industry Group, NSIG) da 2016 yılında Soitec hissesini satın aldığını duyurdu (Shanghai Silicon Industry Investment Co., Ltd şu anda Soitec'in hisselerinin% 11,49'una sahiptir) .
Soitec'in küresel iş biriminin başkan yardımcısı Bernard Aspar, Soitec ürünleri için en büyük iki büyüme fırsatı olarak 5G ve yapay zekayı listeledi (FD-SOI, RF-SOI, Photonics-SOI, POA ve III-V grupları ile diğer malzemeler dahil). Mutlak yüksek performans peşinde koşan FinFET teknolojisi arasındaki fark, 5G mobil, Nesnelerin İnterneti, yapay zeka, ADAS vb. Gibi düşük güç tüketimine, esnek performansa, entegre analog / RF / karışık sinyal uygulamalarına daha fazla önem vermesi ve FD-SOI teknolojisi için daha uygun olmasıdır. Artan benimseme eğilimi de bu kararı doğruluyor.
Soitec substratı, birden fazla uygulama alanını kapsayacak şekilde optimize edilmiştir
Teknik açıdan bakıldığında, RF-SOI, özellikle RF ön uç modülleri için tasarlanmış gelişmiş bir süreçtir. 4G / LTE'de, yaklaşan 5G uygulamaları da dahil olmak üzere, çok sayıda anten anahtarı, anten ayarlayıcıları, düşük gürültülü amplifikatörler (LNA) ve güç vardır. Amplifikatörler için tercih edilen teknoloji ve 2012'den beri radyo frekansı cihazları için geleneksel GaAs materyallerinin yerini hızla aldı.
Bernard Aspar'a göre, şu anda akıllı telefonların RF ön uç modüllerinin% 100'ü RF-SOI'ye göre tasarlanmış ve üretilmiştir ve hatta anten anahtarları, ayarlayıcılar ve düşük gürültülü amplifikatörler için endüstri standardı haline gelmiştir. RF-SOI, birden fazla RF bileşenini tek bir yongaya yüksek oranda entegre ederek, 4G ve 5G'nin gerektirdiği RF performansını karşılar ve IOT tipi uygulamalar için de kritik olan ekipman maliyetini ve cihaz boyutunu önemli ölçüde azaltır.
RF-SOI, RF sinyal doğrusallığı, düşük ekleme kaybı, küçük boyut, yüksek entegrasyon ve düşük maliyet gibi RF ön uç modüllerine benzersiz RF özellikleri getirdiğinden, şu anda benzer değeri sağlayabilecek başka bir teknoloji yoktur. Bu nedenle, FD-SOI platformu 5G ihtiyaçları için benzersiz bir entegrasyon sağlayabilir ve aynı zamanda dar bant Nesnelerin İnterneti'ne üstün düşük güç performansı getirebilir.Bunlar FinFET sürecinin eşsiz avantajlarıdır.
5G için optimize edilmiş alt tabaka
FD-SOI, birçok analog karışık sinyal fonksiyonunu entegre eden, düşük güçlü dijital işleme için tasarlanmış bir süreçtir.Cihaz ister düşük sızıntı / uyku modunda ister yüksek performans modunda olsun, bu teknoloji onu benzersiz kılabilir. Doğal olarak mobil ve AIoT uygulamaları için idealdir.
İlgili veriler, bitmiş ürünlerin maliyetinden ve performansından, 28nm FD-SOI'nin 28nm toplu CMOS gofretlerden (28nm veya 22nm)% 30-50 daha fazla performans sağlayabildiğini ve 22nm FD-SOI'nin 14nm FinFET bitmiş gofretlerden daha fazla olduğunu göstermektedir. Yuvarlak maliyet% 20-30 oranında azaltılır ancak radyo frekansı, gövde önyargısı ve entegrasyon avantajları nedeniyle neredeyse aynı performansı sağlayabilir.
Şu anda, NXP, LATTICE, Synaptics, Rockchip vb. Üreticiler, FD-SOI sürecine dayalı ilgili AIoT çözümlerini piyasaya sürdü.
"Moore Yasasının gelişimi yavaşladı, Intel'in 10nm süreci engellendi ve GF / UMC, 7nm'nin altındaki gelişmiş süreçlerin terk edildiğini duyurdu. Buna karşılık, FD-SOI'nin maliyeti ve performansı daha makul. Birçok gizli iş fırsatı bu gofretlere yardımcı olabilir. Fabrika pazara hizmet vermeye devam ediyor. Soitecin küresel satış direktörü Calvin Chen, Uluslararası Elektronik Ticaret e, rekabet gücünü sürdürmeye ve ideal bir kar modeli oluşturmaya devam etmek için yonga tasarımının maliyeti artmaya devam ettikçe, daha fazla olacağını söyledi Birçok şirket, SOI platformunu aktif olarak benimsemeyi tercih ediyor.
